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BSS83P H6327

BSS83P H6327 Infineon Technologies

BSS83P_Rev1_6.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs P-Ch SOT-23-3
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Technische Details BSS83P H6327 Infineon Technologies

Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.33A; 0.36W; PG-SOT23, Type of transistor: P-MOSFET, Technology: SIPMOS™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -60V, Drain current: -330mA, Power dissipation: 0.36W, Case: PG-SOT23, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 2Ω, Mounting: SMD, Kind of package: reel, Kind of channel: enhancement.

Weitere Produktangebote BSS83P H6327 nach Preis ab 0.22 EUR bis 0.22 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BSS83P H6327 Infineon Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 330mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS83PH6327; BSS83PH6327XTSA1; BSS83P; BSS83PH6327XTSA1 TBSS83p
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BSS83P H6327 Infineon Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 330mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS83PH6327; BSS83PH6327XTSA1; BSS83P; BSS83PH6327XTSA1 TBSS83p
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BSS83P H6327
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Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 330mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS83PH6327; BSS83PH6327XTSA1; BSS83P; BSS83PH6327XTSA1 TBSS83p
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