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BSS84 RFG

BSS84 RFG Taiwan Semiconductor Corporation

BSS84_A2007.pdf Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: -60, -0.15, SINGLE P-CHANNEL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 357mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37 pF @ 30 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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Technische Details BSS84 RFG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: -60, -0.15, SINGLE P-CHANNEL, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V, Power Dissipation (Max): 357mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37 pF @ 30 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BSS84 RFG BSS84 RFG Hersteller : Taiwan Semiconductor bss84_a2007.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS84 RFG BSS84 RFG Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation BSS84_A2007.pdf Description: -60, -0.15, SINGLE P-CHANNEL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 357mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37 pF @ 30 V
auf Bestellung 27347 Stücke:
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BSS84 RFG BSS84 RFG Hersteller : Taiwan Semiconductor BSS84_A2007.pdf MOSFETs -60, -0.15, Single P-Channel
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14+0.20 EUR
100+0.09 EUR
500+0.08 EUR
1000+0.07 EUR
3000+0.06 EUR
6000+0.05 EUR
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BSS84 RFG BSS84 RFG Hersteller : Taiwan Semiconductor bss84_a2007.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS84 RFG BSS84 RFG Hersteller : Taiwan Semiconductor bss84_a2007.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
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