BSS84.215

Produktcode: 84529
Hersteller:
Transistoren - Transistoren P-Kanal-Feld

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Technische Details BSS84.215

Analogon

BSS84
BSS84
Produktcode: 10019
Hersteller: ON
Transistoren - Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 50
Id,A: 0.13
Rds(on),Om: 10
Ciss, pF/Qg, nC: 40/
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Preis BSS84.215 ab 0.071 EUR bis 16.68 EUR

BSS84.215
Hersteller: NEX-NXP

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BSS84,215
Hersteller: NXP
P-MOSFET 130mA 50V 360mW BSS84 , BSS84LT1G, BSS84-7-F , BSS84,215 , Trans. BSS84LT1 SOT23 DIODES TBSS84 NXP
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BSS84,215
Hersteller: NXP
P-MOSFET 130mA 50V 360mW BSS84 , BSS84LT1G, BSS84-7-F , BSS84,215 , Trans. BSS84LT1 SOT23 DIODES TBSS84 NXP
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BSS84,215
Hersteller: NXP
P-MOSFET 130mA 50V 360mW BSS84 , BSS84LT1G, BSS84-7-F , BSS84,215 , Trans. BSS84LT1 SOT23 DIODES TBSS84 NXP
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BSS84,215
Hersteller: NXP
P-MOSFET 130mA 50V 360mW BSS84 , BSS84LT1G, BSS84-7-F , BSS84,215 , Trans. BSS84LT1 SOT23 DIODES TBSS84 NXP
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BSS84,215
BSS84,215
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23
FET Type: P-Channel
Part Status: Active
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package: TO-236AB
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 250mW (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 25V
Vgs (Max): ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 130mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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BSS84,215
BSS84,215
Hersteller: NEXPERIA
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS84,215
BSS84,215
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSS84,215 - Power MOSFET, P Channel, 50 V, 130 mA, 6 ohm, SOT-23, Surface Mount
Transistor Polarity: P Channel
On Resistance Rds(on): 6
Product Range: -
Power Dissipation Pd: 250
Continuous Drain Current Id: 130
Operating Temperature Max: 150
Transistor Mounting: Surface Mount
MSL: MSL 1 - Unlimited
Automotive Qualification Standard: -
Threshold Voltage Vgs: 2
Drain Source Voltage Vds: 50
Transistor Case Style: SOT-23
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10
No. of Pins: 3
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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BSS84,215
BSS84,215
Hersteller: NEXPERIA
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS84,215
BSS84,215
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSS84,215 - Power MOSFET, P Channel, 50 V, 130 mA, 6 ohm, SOT-23, Surface Mount
Transistor Polarity: P Channel
On Resistance Rds(on): 6
Product Range: -
Power Dissipation Pd: 250
Continuous Drain Current Id: 130
Operating Temperature Max: 150
Transistor Mounting: Surface Mount
MSL: MSL 1 - Unlimited
Automotive Qualification Standard: -
Threshold Voltage Vgs: 2
Drain Source Voltage Vds: 50
Transistor Case Style: SOT-23
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10
No. of Pins: 3
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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BSS84,215
BSS84,215
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSS84,215 - Power MOSFET, P Channel, 50 V, 130 mA, 6 ohm, SOT-23, Surface Mount
Transistor Polarity: P Channel
On Resistance Rds(on): 6
Product Range: -
Power Dissipation Pd: 250
Continuous Drain Current Id: 130
Operating Temperature Max: 150
Transistor Mounting: Surface Mount
MSL: MSL 1 - Unlimited
Automotive Qualification Standard: -
Threshold Voltage Vgs: 2
Drain Source Voltage Vds: 50
Transistor Case Style: SOT-23
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10
No. of Pins: 3
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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BSS84.215
Hersteller: NXP
Transistor Polarity P Channel Continuous Drain Current Id -130mA Drain Source Voltage Vds -50V On Resistance Rds(on) 6ohm Rds(on) Test Voltage Vgs 10V Threshold
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BSS84.215
Hersteller: NEXPERIA
Material: BSS84.215 SMD P channel transistors
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BSS84,215
BSS84,215
Hersteller: Nexperia
MOSFET P-CH DMOS 50V 130MA
BSS84-1320047.pdf
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BSS84,215
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
BSS84.pdf NEXP-S-A0002881399-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
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BSS84,215
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
BSS84.pdf NEXP-S-A0002881399-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
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BSS84,215
BSS84,215
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 50V 130MA TO236AB
Base Part Number: BSS84
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package: TO-236AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 250mW (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 25V
Vgs (Max): ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 130mA, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Manufacturer: Nexperia USA Inc.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
FET Type: P-Channel
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BSS84,215
BSS84,215
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 50V 130MA TO236AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 250mW (Tc)
Manufacturer: Nexperia USA Inc.
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 25V
Vgs (Max): ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Base Part Number: BSS84
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package: TO-236AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 130mA, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Part Status: Active
Packaging: Cut Tape (CT)
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