
BSS8402DW-7-F Diodes Zetex
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Technische Details BSS8402DW-7-F Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - BSS8402DW-7-F - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 115 mA, 115 mA, 13.5 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 115mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 13.5ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 200mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 13.5ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 200mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote BSS8402DW-7-F nach Preis ab 0.11 EUR bis 4.22 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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BSS8402DW-7-F | Hersteller : Diodes Zetex |
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BSS8402DW-7-F | Hersteller : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 200mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA, 130mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V, 45pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active |
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BSS8402DW-7-F | Hersteller : Diodes Zetex |
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BSS8402DW-7-F | Hersteller : Diodes Zetex |
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BSS8402DW-7-F | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-50V Mounting: SMD Case: SOT363 Drain-source voltage: 60/-50V Drain current: 0.115/-0.13A On-state resistance: 10/13.5Ω Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 0.2W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BSS8402DW-7-F | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-50V Mounting: SMD Case: SOT363 Drain-source voltage: 60/-50V Drain current: 0.115/-0.13A On-state resistance: 10/13.5Ω Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 0.2W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V |
auf Bestellung 1904 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS8402DW-7-F | Hersteller : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 200mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA, 130mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V, 45pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active |
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BSS8402DW-7-F | Hersteller : Diodes Incorporated |
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BSS8402DW-7-F | Hersteller : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 115mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 13.5ohm Verlustleistung, p-Kanal: 200mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 13.5ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 200mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 44396 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS8402DW-7-F | Hersteller : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 115mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 13.5ohm Verlustleistung, p-Kanal: 200mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 13.5ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 200mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 44396 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS8402DW-7-F | Hersteller : DIODES/ZETEX |
![]() Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS8402DW-7-F | Hersteller : Diodes Incorporated |
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BSS8402DW-7-F Produktcode: 177913
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