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BSS8402DW-7-F

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Transistoren > MOSFET N-CH

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BSS8402DW-7-F BSS8402DW-7-F Hersteller : Diodes Zetex ds30380.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V/50V 0.115A/0.13A 6-Pin SOT-363 T/R
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BSS8402DW-7-F BSS8402DW-7-F Hersteller : Diodes Zetex ds30380.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V/50V 0.115A/0.13A 6-Pin SOT-363 T/R
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BSS8402DW-7-F BSS8402DW-7-F Hersteller : Diodes Zetex ds30380.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V/50V 0.115A/0.13A 6-Pin SOT-363 T/R
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BSS8402DW-7-F BSS8402DW-7-F Hersteller : Diodes Zetex ds30380.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V/50V 0.115A/0.13A 6-Pin SOT-363 T/R
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BSS8402DW-7-F BSS8402DW-7-F Hersteller : Diodes Zetex ds30380.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V/50V 0.115A/0.13A 6-Pin SOT-363 T/R
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BSS8402DW-7-F BSS8402DW-7-F Hersteller : Diodes Incorporated ds30380.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA, 130mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V, 45pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
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3000+0.18 EUR
6000+0.17 EUR
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15000+0.15 EUR
21000+0.14 EUR
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BSS8402DW-7-F BSS8402DW-7-F Hersteller : Diodes Zetex ds30380.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V/50V 0.115A/0.13A 6-Pin SOT-363 T/R
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3000+0.2 EUR
6000+0.097 EUR
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BSS8402DW-7-F BSS8402DW-7-F Hersteller : Diodes Zetex ds30380.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V/50V 0.115A/0.13A 6-Pin SOT-363 T/R
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622+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.16 EUR
6000+0.14 EUR
9000+0.13 EUR
15000+0.12 EUR
21000+0.11 EUR
30000+0.1 EUR
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BSS8402DW-7-F BSS8402DW-7-F Hersteller : Diodes Zetex ds30380.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V/50V 0.115A/0.13A 6-Pin SOT-363 T/R
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476+0.3 EUR
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BSS8402DW-7-F BSS8402DW-7-F Hersteller : DIODES INCORPORATED BSS8402DW-7-F.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-50V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-50V
Drain current: 0.115/-0.13A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10/13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
auf Bestellung 1826 Stücke:
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136+0.53 EUR
187+0.38 EUR
271+0.26 EUR
319+0.22 EUR
500+0.16 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 136
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BSS8402DW-7-F BSS8402DW-7-F Hersteller : Diodes Zetex ds30380.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V/50V 0.115A/0.13A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 1483 Stücke:
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183+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 183
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BSS8402DW-7-F BSS8402DW-7-F Hersteller : Diodes Zetex ds30380.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V/50V 0.115A/0.13A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 1483 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
183+0.78 EUR
250+0.75 EUR
500+0.72 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 183
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BSS8402DW-7-F BSS8402DW-7-F Hersteller : Diodes Incorporated ds30380.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA, 130mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V, 45pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 63790 Stücke:
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22+0.83 EUR
35+0.51 EUR
100+0.32 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 22
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BSS8402DW-7-F BSS8402DW-7-F Hersteller : Diodes Incorporated ds30380.pdf MOSFETs 60 / -50V 200mW
auf Bestellung 890 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.04 EUR
10+0.69 EUR
100+0.44 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.23 EUR
3000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS8402DW-7-F BSS8402DW-7-F Hersteller : DIODES INC. 3732005.pdf Description: DIODES INC. - BSS8402DW-7-F - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 50 V, 115 mA, 130 mA, 7.5 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 10ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 200mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5491 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS8402DW-7-F BSS8402DW-7-F Hersteller : DIODES INC. 3732005.pdf Description: DIODES INC. - BSS8402DW-7-F - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 50 V, 115 mA, 130 mA, 7.5 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 10ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 200mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7.5ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5491 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSS8402DW-7-F Hersteller : DIODES/ZETEX ds30380.pdf Transistor N/P-Channel MOSFET; 60V/50V; 60V/50V; 20V; 13,5Ohm/10Ohm; 115mA/130mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; BSS8402DW-7-F BSS8402DW TBSS8402DW
Anzahl je Verpackung: 15 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS8402DW-7-F Hersteller : Vishay Semiconductor BSS8402.pdf Транзистор польовий N+P, Id = 130 мА, Ptot, Вт = 0,25, Udss, В = 60, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25, Rds = 7,5 Ом @ 50 мA, 5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,5 @ 250 мкА, Id2 = 115 мА,... Група товару: Транзистори Корпус: SC70-6 Од. в
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 180 Stücke:
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BSS8402DW-7-F BSS8402DW-7-F Hersteller : Diodes Zetex ds30380.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V/50V 0.115A/0.13A 6-Pin SOT-363 T/R
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BSS8402DW-7-F Hersteller : Diodes ds30380.pdf MOSFET N/P-CH 60V/50V SC70-6 (SOT-363) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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BSS8402DW-7-F Hersteller : Diodes INC. ds30380.pdf Транзистор польовий N+P, Udss, В = 60, 50, Id = 115 мА, 130 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25, 45 @ 25, Rds = 7,5 Ом @ 50 мА, 5 В, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-363
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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