BSS84AKM,315 NEXPERIA
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSS84AKM,315 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 230 mA, 7.5 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 500+ | 0.62 EUR |
| 715+ | 0.3 EUR |
| 1059+ | 0.2 EUR |
| 5000+ | 0.17 EUR |
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Technische Details BSS84AKM,315 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSS84AKM,315 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 230 mA, 7.5 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 230mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-883, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote BSS84AKM,315 nach Preis ab 0.17 EUR bis 1.07 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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BSS84AKM,315 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSS84AKM,315 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 230 mA, 7.5 ohm, SOT-883, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-883 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 5750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84AKM,315 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSS84AKM,315 - MISCELLANEOUS MOSFETStariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 21208 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84AKM,315 |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSS84AKM,315 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 230 mA, 7.5 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BSS84AKM,315 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 230 mA, 7.5 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 235+ | 1.07 EUR |
| 378+ | 0.62 EUR |
| 715+ | 0.3 EUR |
| 1059+ | 0.2 EUR |
| 5000+ | 0.17 EUR |
| BSS84AKM,315 |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSS84AKM,315 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - BSS84AKM,315 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 21208 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 235+ | 1.07 EUR |
| 381+ | 0.61 EUR |
| 715+ | 0.3 EUR |
| 814+ | 0.26 EUR |
| 1060+ | 0.2 EUR |
| 5000+ | 0.17 EUR |

