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Technische Details BSS84AKMB,315 Nexperia
Description: NEXPERIA - BSS84AKMB,315 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 230 mA, 4.5 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 230mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: SOT-883B, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote BSS84AKMB,315 nach Preis ab 0.031 EUR bis 0.55 EUR
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BSS84AKMB,315 | Hersteller : Nexperia |
 Trans MOSFET P-CH 50V 0.23A 3-Pin DFN-B T/R |
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BSS84AKMB,315 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.23A 3-Pin DFN-B T/R |
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BSS84AKMB,315 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.23A 3-Pin DFN-B T/R |
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BSS84AKMB,315 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 50V 230MA DFN1006B-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: DFN1006B-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V |
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BSS84AKMB,315 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.23A 3-Pin DFN-B T/R |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS84AKMB,315 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.23A 3-Pin DFN-B T/R |
auf Bestellung 9875 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS84AKMB,315 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.23A 3-Pin DFN-B T/R |
auf Bestellung 8930 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS84AKMB,315 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.23A 3-Pin DFN-B T/R |
auf Bestellung 11930 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS84AKMB,315 | Hersteller : Nexperia |
MOSFETs 50 V, single P-channel Trench MOSFET |
auf Bestellung 13418 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS84AKMB,315 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 50V 230MA DFN1006B-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: DFN1006B-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V |
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BSS84AKMB,315 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSS84AKMB,315 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 230 mA, 4.5 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-883B Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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BSS84AKMB,315 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSS84AKMB,315 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 230 mA, 4.5 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-883B Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2281 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS84AKMB,315 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.23A Automotive 3-Pin DFN-B T/R |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84AKMB,315 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET Type of transistor: P-MOSFET |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS84AKMB,315 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.23A 3-Pin DFN-B T/R |
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