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BSS84AKS,115

BSS84AKS,115 Nexperia

2736853963851210bss84aks.pdf Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 50V 0.16A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BSS84AKS,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - BSS84AKS,115 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 160 mA, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 160mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4.5ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 445mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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BSS84AKS,115 BSS84AKS,115 Hersteller : Nexperia 2736853963851210bss84aks.pdf Trans MOSFET P-CH 50V 0.16A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
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BSS84AKS,115 BSS84AKS,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. BSS84AKS.pdf Description: MOSFET 2P-CH 50V 0.16A 6TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 445mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
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BSS84AKS,115 BSS84AKS,115 Hersteller : Nexperia 2736853963851210bss84aks.pdf Trans MOSFET P-CH 50V 0.16A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
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BSS84AKS,115 BSS84AKS,115 Hersteller : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7949FC2290B5CC747&compId=BSS84AKS.pdf?ci_sign=ed2adf737b4b5a2c132b59e814435a63247e3d1a Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -50V; -0.1A; 445mW
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.1A
Power dissipation: 445mW
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.35nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2441 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
218+0.33 EUR
332+0.22 EUR
476+0.15 EUR
554+0.13 EUR
993+0.07 EUR
1051+0.07 EUR
6000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 218
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BSS84AKS,115 BSS84AKS,115 Hersteller : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7949FC2290B5CC747&compId=BSS84AKS.pdf?ci_sign=ed2adf737b4b5a2c132b59e814435a63247e3d1a Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -50V; -0.1A; 445mW
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.1A
Power dissipation: 445mW
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.35nC
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BSS84AKS,115 BSS84AKS,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. BSS84AKS.pdf Description: MOSFET 2P-CH 50V 0.16A 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 445mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
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BSS84AKS,115 BSS84AKS,115 Hersteller : Nexperia BSS84AKS.pdf MOSFETs 50 V, 160 mA dual P-channel Trench MOSFET
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BSS84AKS,115 BSS84AKS,115 Hersteller : Nexperia 2736853963851210bss84aks.pdf Trans MOSFET P-CH 50V 0.16A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
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BSS84AKS,115 BSS84AKS,115 Hersteller : NEXPERIA 2736853963851210bss84aks.pdf Trans MOSFET P-CH 50V 0.16A Automotive 6-Pin TSSOP T/R
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BSS84AKS,115 BSS84AKS,115 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0002881495-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSS84AKS,115 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 160 mA
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4.5ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 445mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BSS84AKS,115 BSS84AKS,115 Hersteller : Nexperia 2736853963851210bss84aks.pdf Trans MOSFET P-CH 50V 0.16A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
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BSS84AKS,115 BSS84AKS,115 Hersteller : Nexperia 2736853963851210bss84aks.pdf Trans MOSFET P-CH 50V 0.16A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
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BSS84AKS,115 BSS84AKS,115 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0002881495-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSS84AKS,115 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 160 mA
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4.5ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 445mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 51479 Stücke:
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BSS84AKS,115 BSS84AKS,115 Hersteller : NEXPERIA BSS84AKS.pdf Description: NEXPERIA - BSS84AKS,115 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 160 mA
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4.5ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 445mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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