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BSS84DW-7-F

BSS84DW-7-F Diodes Zetex

bss84dw.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 6-Pin SOT-363 T/R
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Technische Details BSS84DW-7-F Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - BSS84DW-7-F - Dual-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 130mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 10ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 300mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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BSS84DW-7-F BSS84DW-7-F Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0013681327-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BSS84DW-7-F - Dual-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 10ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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BSS84DW-7-F BSS84DW-7-F Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0013681327-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BSS84DW-7-F - Dual-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 10ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1595 Stücke:
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BSS84DW-7-F BSS84DW-7-F Hersteller : Diodes Inc bss84dw.pdf Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 6-Pin SOT-363 T/R
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BSS84DW-7-F
Produktcode: 180540
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BSS84DW-7-F BSS84DW-7-F Hersteller : Diodes Incorporated BSS84DW.pdf Description: MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 441000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.15 EUR
6000+0.14 EUR
9000+0.13 EUR
75000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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BSS84DW-7-F BSS84DW-7-F Hersteller : Diodes Incorporated BSS84DW.pdf MOSFETs -50V 200mW
auf Bestellung 249401 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+0.43 EUR
10+0.29 EUR
100+0.18 EUR
1000+0.17 EUR
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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BSS84DW-7-F BSS84DW-7-F Hersteller : Diodes Incorporated BSS84DW.pdf Description: MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 443105 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+0.79 EUR
37+0.48 EUR
100+0.30 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.20 EUR
Mindestbestellmenge: 23
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BSS84DW-7-F BSS84DW-7-F Hersteller : DIODES INCORPORATED bss84dw.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -50V; -0.13A; 0.3W; SOT363
Type of transistor: P-MOSFET x2
Case: SOT363
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -130mA
On-state resistance: 10Ω
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSS84DW-7-F BSS84DW-7-F Hersteller : DIODES INCORPORATED bss84dw.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -50V; -0.13A; 0.3W; SOT363
Type of transistor: P-MOSFET x2
Case: SOT363
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -130mA
On-state resistance: 10Ω
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
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