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BSS84DWQ-7

BSS84DWQ-7 Diodes Zetex


ds30204.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BSS84DWQ-7 Diodes Zetex

Description: MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 300mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 50V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-363, Part Status: Active, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BSS84DWQ-7 BSS84DWQ-7 Hersteller : Diodes Zetex ds30204.pdf Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
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BSS84DWQ-7 BSS84DWQ-7 Hersteller : Diodes Zetex ds30204.pdf Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
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BSS84DWQ-7 BSS84DWQ-7 Hersteller : Diodes Incorporated BSS84DWQ.pdf Description: MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BSS84DWQ-7 BSS84DWQ-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE797FA1EF820864748&compId=bss84dw.pdf?ci_sign=b348ad0b0b0dd5cb6c50b5d35355b7092373de63 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -50V; -0.13A; 0.3W; SOT363
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -130mA
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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Anzahl Preis
380+0.19 EUR
475+0.15 EUR
530+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 380
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BSS84DWQ-7 BSS84DWQ-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE797FA1EF820864748&compId=bss84dw.pdf?ci_sign=b348ad0b0b0dd5cb6c50b5d35355b7092373de63 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -50V; -0.13A; 0.3W; SOT363
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -130mA
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
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BSS84DWQ-7 BSS84DWQ-7 Hersteller : Diodes Incorporated BSS84DWQ.pdf MOSFETs BSS Family SOT363 T&R 3K
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3000+0.17 EUR
6000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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BSS84DWQ-7 BSS84DWQ-7 Hersteller : Diodes Incorporated BSS84DWQ.pdf Description: MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BSS84DWQ-7
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