Technische Details BSS84P-L6327 Infineon
P-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 170 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 19 @ 25, Qg, нКл = 1,5 @ 10 В, Rds = 8 Ом @ 170 мA, 10 В, Ugs(th) = 2 В @ 20 мкА, Р, Вт = 0,36 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. ви, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.
Weitere Produktangebote BSS84P-L6327
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| BSS84P L6327 | Hersteller : Infineon Technologies |
 P-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 170 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 19 @ 25, Qg, нКл = 1,5 @ 10 В, Rds = 8 Ом @ 170 мA, 10 В, Ugs(th) = 2 В @ 20 мкА, Р, Вт = 0,36 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. виAnzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BSS84P L6327 | Hersteller : Infineon Technologies |
GaN FETs P-Ch -60V 170mA SOT-23-3 |
Produkt ist nicht verfügbar |