Technische Details BSS84P-L6327 Infineon
P-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 170 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 19 @ 25, Qg, нКл = 1,5 @ 10 В, Rds = 8 Ом @ 170 мA, 10 В, Ugs(th) = 2 В @ 20 мкА, Р, Вт = 0,36 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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| BSS84P L6327 | Infineon Technologies |
 P-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 170 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 19 @ 25, Qg, нКл = 1,5 @ 10 В, Rds = 8 Ом @ 170 мA, 10 В, Ugs(th) = 2 В @ 20 мкА, Р, Вт = 0,36 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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BSS84P L6327 | Infineon Technologies |
GaN FETs P-Ch -60V 170mA SOT-23-3 |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BSS84P L6327 |
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Hersteller: Infineon Technologies
P-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 170 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 19 @ 25, Qg, нКл = 1,5 @ 10 В, Rds = 8 Ом @ 170 мA, 10 В, Ugs(th) = 2 В @ 20 мкА, Р, Вт = 0,36 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
P-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 170 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 19 @ 25, Qg, нКл = 1,5 @ 10 В, Rds = 8 Ом @ 170 мA, 10 В, Ugs(th) = 2 В @ 20 мкА, Р, Вт = 0,36 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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| BSS84P L6327 |
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Hersteller: Infineon Technologies
GaN FETs P-Ch -60V 170mA SOT-23-3
GaN FETs P-Ch -60V 170mA SOT-23-3
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