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BSS84PWH6327XTSA1

BSS84PWH6327XTSA1 Infineon Technologies

1256702095224422dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a3043321e499.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BSS84PWH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSS84PWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 150 mA, 8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote BSS84PWH6327XTSA1 nach Preis ab 0.052 EUR bis 0.61 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSS84PWH6327XTSA1 BSS84PWH6327XTSA1 Infineon Technologies 1256702095224422dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a3043321e499.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 9000 Stücke:
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BSS84PWH6327XTSA1 BSS84PWH6327XTSA1 Infineon info-tbss84pw%20inf.pdf P-MOSFET 60V 150mA 8Ω BSS84PWH6327XTSA1 BSS84PWH6327 Infineon TBSS84pw INF
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auf Bestellung 6238 Stücke:
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2565+0.063 EUR
2578+0.061 EUR
2584+0.057 EUR
2598+0.055 EUR
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Mindestbestellmenge: 1226 Stücke
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BSS84PWH6327XTSA1 BSS84PWH6327XTSA1 Infineon info-tbss84pw%20inf.pdf P-MOSFET 60V 150mA 8Ω BSS84PWH6327XTSA1 BSS84PWH6327 Infineon TBSS84pw INF
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auf Bestellung 9925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1044+0.17 EUR
1311+0.13 EUR
1493+0.11 EUR
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6000+0.074 EUR
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auf Bestellung 9925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1047+0.17 EUR
1315+0.13 EUR
1498+0.11 EUR
3000+0.089 EUR
6000+0.08 EUR
9000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 1047 Stücke
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BSS84PWH6327XTSA1 BSS84PWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS84PWH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.15A; 0.3W; PG-SOT-323
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.15A
Power dissipation: 0.3W
Case: PG-SOT-323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.37nC
Technology: SIPMOS™
auf Bestellung 1583 Stücke:
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313+0.27 EUR
439+0.19 EUR
624+0.13 EUR
721+0.12 EUR
964+0.088 EUR
1083+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 313 Stücke
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BSS84PWH6327XTSA1 BSS84PWH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSS84PW_DS_v02_00_EN.pdf MOSFETs P-Ch -60V 150mA SOT-323-3
auf Bestellung 423 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.6 EUR
11+0.33 EUR
100+0.2 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.12 EUR
6000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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BSS84PWH6327XTSA1 BSS84PWH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSS84PW-DS-v01_05-en.pdf?fileId=db3a3043321e49940132482056d32474 Description: MOSFET P-CH 60V 150MA SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19.1 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 71 Stücke:
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35+0.61 EUR
56+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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BSS84PWH6327XTSA1 1256702095224422dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a3043321e499.pdf
BSS84PWH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
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BSS84PWH6327XTSA1
Hersteller: Infineon
P-MOSFET 60V 150mA 8Ω BSS84PWH6327XTSA1 BSS84PWH6327 Infineon TBSS84pw INF
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
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1226+0.14 EUR
2539+0.067 EUR
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2584+0.057 EUR
2598+0.055 EUR
2605+0.052 EUR
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BSS84PWH6327XTSA1
Hersteller: Infineon
P-MOSFET 60V 150mA 8Ω BSS84PWH6327XTSA1 BSS84PWH6327 Infineon TBSS84pw INF
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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1044+0.17 EUR
1311+0.13 EUR
1493+0.11 EUR
3000+0.084 EUR
6000+0.074 EUR
9000+0.063 EUR
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BSS84PWH6327XTSA1 1256702095224422dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a3043321e499.pdf
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Trans MOSFET P-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
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AnzahlPrivatkunde
1047+0.17 EUR
1315+0.13 EUR
1498+0.11 EUR
3000+0.089 EUR
6000+0.08 EUR
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BSS84PWH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.15A; 0.3W; PG-SOT-323
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.15A
Power dissipation: 0.3W
Case: PG-SOT-323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.37nC
Technology: SIPMOS™
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AnzahlPrivatkunde
313+0.27 EUR
439+0.19 EUR
624+0.13 EUR
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964+0.088 EUR
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Mindestbestellmenge: 313 Stücke
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MOSFETs P-Ch -60V 150mA SOT-323-3
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AnzahlPrivatkunde
6+0.6 EUR
11+0.33 EUR
100+0.2 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.12 EUR
6000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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BSS84PWH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 150MA SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19.1 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 71 Stücke:
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56+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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