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BSS84PWH6327XTSA1

BSS84PWH6327XTSA1 Infineon

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Hersteller: Infineon
P-MOSFET 60V 150mA 8Ω BSS84PWH6327XTSA1 BSS84PWH6327 Infineon TBSS84pw INF
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Technische Details BSS84PWH6327XTSA1 Infineon

Description: INFINEON - BSS84PWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 150 mA, 8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSS84PWH6327XTSA1 BSS84PWH6327XTSA1 Infineon info-tbss84pw%20inf.pdf P-MOSFET 60V 150mA 8Ω BSS84PWH6327XTSA1 BSS84PWH6327 Infineon TBSS84pw INF
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BSS84PWH6327XTSA1 BSS84PWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS84PWH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.15A; 0.3W; PG-SOT-323
Kind of package: reel
Power dissipation: 0.3W
Gate charge: 0.37nC
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: -0.15A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-SOT-323
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
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BSS84PWH6327XTSA1 BSS84PWH6327XTSA1 Infineon Technologies 1256702095224422dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a3043321e499.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
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Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.15A; 0.3W; PG-SOT-323
Kind of package: reel
Power dissipation: 0.3W
Gate charge: 0.37nC
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: -0.15A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-SOT-323
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Trans MOSFET P-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
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Trans MOSFET P-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
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