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BSS84W-7-F

BSS84W-7-F Diodes Zetex


pgurl_dds_580660202427290895.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-323 T/R
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Technische Details BSS84W-7-F Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - BSS84W-7-F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 130mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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BSS84W-7-F BSS84W-7-F Hersteller : Diodes Zetex pgurl_dds_580660202427290895.pdf Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-323 T/R
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BSS84W-7-F BSS84W-7-F Hersteller : Diodes Incorporated BSS84W.pdf Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V
auf Bestellung 5721000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.097 EUR
6000+0.084 EUR
9000+0.075 EUR
15000+0.072 EUR
21000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84W-7-F BSS84W-7-F Hersteller : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986DEC7E1F851B8BF&compId=BSS84W.pdf?ci_sign=63714c7339417f7132fb61c9aeb1be0b0505177d Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.2W; SOT323
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -130mA
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4099 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
250+0.29 EUR
338+0.21 EUR
431+0.17 EUR
483+0.15 EUR
1145+0.062 EUR
1211+0.059 EUR
15000+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84W-7-F BSS84W-7-F Hersteller : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986DEC7E1F851B8BF&compId=BSS84W.pdf?ci_sign=63714c7339417f7132fb61c9aeb1be0b0505177d Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.2W; SOT323
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -130mA
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
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431+0.17 EUR
483+0.15 EUR
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1211+0.059 EUR
Mindestbestellmenge: 250
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BSS84W-7-F BSS84W-7-F Hersteller : Diodes Incorporated BSS84W.pdf MOSFETs -50V 200mW
auf Bestellung 70543 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+0.39 EUR
11+0.27 EUR
100+0.2 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
3000+0.092 EUR
6000+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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BSS84W-7-F BSS84W-7-F Hersteller : Diodes Incorporated BSS84W.pdf Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V
auf Bestellung 5724869 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
44+0.4 EUR
62+0.29 EUR
100+0.2 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 44
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BSS84W-7-F BSS84W-7-F Hersteller : DIODES INC. 3732006.pdf Description: DIODES INC. - BSS84W-7-F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 26309 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84W-7-F BSS84W-7-F Hersteller : DIODES INC. 3732006.pdf Description: DIODES INC. - BSS84W-7-F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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