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BSS84WAHZGT106

BSS84WAHZGT106 Rohm Semiconductor

bss84wahzgt106-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 0.21A 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BSS84WAHZGT106 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - BSS84WAHZGT106 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 210 mA, 2.8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 210mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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BSS84WAHZGT106 BSS84WAHZGT106 Rohm Semiconductor datasheet?p=BSS84WAHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: PCH -60V -0.21A, SOT-323, SMALL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 210mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
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3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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BSS84WAHZGT106 BSS84WAHZGT106 Rohm Semiconductor datasheet?p=BSS84WAHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: PCH -60V -0.21A, SOT-323, SMALL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
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Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 210mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
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500+0.25 EUR
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BSS84WAHZGT106 BSS84WAHZGT106 ROHM Semiconductor datasheet?p=BSS84WAHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs SOT323 P-CH 60V .21A
auf Bestellung 4785 Stücke:
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10+0.53 EUR
100+0.34 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
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BSS84WAHZGT106 BSS84WAHZGT106 ROHM bss84wahzgt106-e.pdf Description: ROHM - BSS84WAHZGT106 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 210 mA, 2.8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1435 Stücke:
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BSS84WAHZGT106 BSS84WAHZGT106 Rohm Semiconductor bss84wahzgt106-e.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.21A 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 160 Stücke:
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BSS84WAHZGT106 BSS84WAHZGT106 ROHM bss84wahzgt106-e.pdf Description: ROHM - BSS84WAHZGT106 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 210 mA, 2.8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
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hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
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isCanonical: N
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
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Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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BSS84WAHZGT106 datasheet?p=BSS84WAHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BSS84WAHZGT106
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: PCH -60V -0.21A, SOT-323, SMALL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 210mA, 10V
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Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Anzahl Preis
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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BSS84WAHZGT106 datasheet?p=BSS84WAHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BSS84WAHZGT106
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: PCH -60V -0.21A, SOT-323, SMALL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 210mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
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Mindestbestellmenge: 21
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BSS84WAHZGT106 datasheet?p=BSS84WAHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BSS84WAHZGT106
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs SOT323 P-CH 60V .21A
auf Bestellung 4785 Stücke:
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500+0.25 EUR
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3000+0.19 EUR
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BSS84WAHZGT106 bss84wahzgt106-e.pdf
BSS84WAHZGT106
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - BSS84WAHZGT106 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 210 mA, 2.8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSS84WAHZGT106
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 0.21A 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSS84WAHZGT106
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - BSS84WAHZGT106 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 210 mA, 2.8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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