BSS84WQ-7-F


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Produktcode: 145068
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSS84WQ-7-F BSS84WQ-7-F Diodes Incorporated BSS84W.pdf MOSFETs P-Ch -50V Enh FET 10Ohm -5Vgs -130mA
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 318-322 Tag (e)
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17+0.2 EUR
100+0.14 EUR
500+0.13 EUR
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BSS84WQ-7-F BSS84WQ-7-F DIODES INC. DIOD-S-A0012994297-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BSS84WQ-7-F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 164 mA, 3.1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 164mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1585 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
493+0.51 EUR
848+0.27 EUR
1380+0.15 EUR
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BSS84WQ-7-F BSS84WQ-7-F DIODES INC. DIOD-S-A0012994297-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BSS84WQ-7-F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 164 mA, 3.1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs P-Ch -50V Enh FET 10Ohm -5Vgs -130mA
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BSS84WQ-7-F DIOD-S-A0012994297-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BSS84WQ-7-F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 164 mA, 3.1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
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Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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BSS84WQ-7-F DIOD-S-A0012994297-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BSS84WQ-7-F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 164 mA, 3.1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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