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BSS84WQ-7-F

BSS84WQ-7-F Diodes Incorporated

BSS84W.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs P-Ch -50V Enh FET 10Ohm -5Vgs -130mA
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Technische Details BSS84WQ-7-F Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - BSS84WQ-7-F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 164 mA, 3.1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 164mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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BSS84WQ-7-F BSS84WQ-7-F Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0012994297-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BSS84WQ-7-F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 164 mA, 3.1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 164mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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BSS84WQ-7-F BSS84WQ-7-F Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0012994297-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BSS84WQ-7-F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 164 mA, 3.1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
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Dauer-Drainstrom Id: 164mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
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Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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BSS84WQ-7-F BSS84WQ-7-F Hersteller : Diodes Zetex bss84wq.pdf Trans MOSFET P-CH 50V 0.164A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
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Produktcode: 145068
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BSS84WQ-7-F BSS84WQ-7-F Hersteller : Diodes Incorporated BSS84W.pdf Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BSS84WQ-7-F BSS84WQ-7-F Hersteller : Diodes Incorporated BSS84W.pdf Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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