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Technische Details BSS87,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - BSS87,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 400 mA, 3 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 400mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
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BSS87,115 | Hersteller : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 200V 0.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
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BSS87,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
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BSS87,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
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BSS87,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 200V 400MA SOT89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 10V Power Dissipation (Max): 580mW (Ta), 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V |
auf Bestellung 62000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS87,115 | Hersteller : Nexperia |
MOSFETs SOT89 200V .4A N-CH D-MOS |
auf Bestellung 2714 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS87,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 200V 400MA SOT89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 10V Power Dissipation (Max): 580mW (Ta), 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V |
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BSS87,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.2A; 580mW; SC62,SOT89 Mounting: SMD Case: SC62; SOT89 Kind of package: reel; tape On-state resistance: 7Ω Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 0.2A Gate charge: 10nC Power dissipation: 0.58W Gate-source voltage: ±20V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BSS87,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.2A; 580mW; SC62,SOT89 Mounting: SMD Case: SC62; SOT89 Kind of package: reel; tape On-state resistance: 7Ω Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 0.2A Gate charge: 10nC Power dissipation: 0.58W Gate-source voltage: ±20V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET |
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BSS87,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSS87,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 400 mA, 3 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 400mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 581 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS87,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS87,115 | Hersteller : NXP/Nexperia/We-En |
P-канальний ПТ; Udss, В = 200; Id = 400 мА; Ciss, пФ @ Uds, В = 120 @ 25; Rds = 3 @ 400 мА, 10 В; Ugs(th) = 2,8 В @ 1 мА; Р, Вт = 1 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-89-3 |
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BSS87,115 Produktcode: 125179
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BSS87,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
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BSS87,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
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