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BSS87H6327FTSA1

BSS87H6327FTSA1 Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 240V 0.26A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BSS87H6327FTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSS87H6327FTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 260 mA, 6 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 240V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 260mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSS87H6327FTSA1 BSS87H6327FTSA1 Infineon Technologies 507655717846801dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a30433b47825.pdf Trans MOSFET N-CH 240V 0.26A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101
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BSS87H6327FTSA1 BSS87H6327FTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSS87-DS-v01_42-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60b6e9436ddb Description: MOSFET N-CH 240V 260MA SOT89-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 260mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-SOT89-4-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 97 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BSS87H6327FTSA1 BSS87H6327FTSA1 Infineon Technologies 507655717846801dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a30433b47825.pdf Trans MOSFET N-CH 240V 0.26A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101
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BSS87H6327FTSA1 BSS87H6327FTSA1 Infineon Technologies 507655717846801dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a30433b47825.pdf Trans MOSFET N-CH 240V 0.26A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101
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BSS87H6327FTSA1 BSS87H6327FTSA1 Infineon info-tbss87%20inf.pdf N-MOSFET 240V 260mA 6Ω BSS87H6327FTSA1 BSS87H6327 Infineon TBSS87 INF
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BSS87H6327FTSA1 BSS87H6327FTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSS87-DS-v01_42-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60b6e9436ddb Description: MOSFET N-CH 240V 260MA SOT89-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 260mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-SOT89-4-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 97 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BSS87H6327FTSA1 BSS87H6327FTSA1 INFINEON INFN-S-A0002220480-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS87H6327FTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 260 mA, 6 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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BSS87H6327FTSA1 BSS87H6327FTSA1 INFINEON INFN-S-A0002220480-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS87H6327FTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 260 mA, 6 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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BSS87H6327FTSA1 BSS87H6327FTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS87H6327FTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.26A; 1W; SOT89-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.26A
Power dissipation: 1W
Case: SOT89-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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BSS87H6327FTSA1 507655717846801dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a30433b47825.pdf
BSS87H6327FTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 240V 0.26A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 75000 Stücke:
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BSS87H6327FTSA1 Infineon-BSS87-DS-v01_42-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60b6e9436ddb
BSS87H6327FTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 240V 260MA SOT89-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 260mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-SOT89-4-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 97 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7000 Stücke:
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BSS87H6327FTSA1 507655717846801dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a30433b47825.pdf
BSS87H6327FTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 240V 0.26A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 450 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
272+0.63 EUR
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BSS87H6327FTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 240V 0.26A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 310 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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229+0.75 EUR
286+0.6 EUR
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BSS87H6327FTSA1 info-tbss87%20inf.pdf
BSS87H6327FTSA1
Hersteller: Infineon
N-MOSFET 240V 260mA 6Ω BSS87H6327FTSA1 BSS87H6327 Infineon TBSS87 INF
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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40+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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BSS87H6327FTSA1 507655717846801dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a30433b47825.pdf
BSS87H6327FTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 240V 0.26A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 310 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
158+1.08 EUR
229+0.73 EUR
286+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 158 Stücke
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BSS87H6327FTSA1 507655717846801dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a30433b47825.pdf
BSS87H6327FTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 240V 0.26A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 450 Stücke:
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135+1.27 EUR
211+0.79 EUR
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BSS87H6327FTSA1 Infineon-BSS87-DS-v01_42-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60b6e9436ddb
BSS87H6327FTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 240V 260MA SOT89-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 260mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-SOT89-4-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 97 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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15+1.49 EUR
23+0.93 EUR
50+0.68 EUR
100+0.6 EUR
500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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BSS87H6327FTSA1 INFN-S-A0002220480-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS87H6327FTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS87H6327FTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 260 mA, 6 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1037 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
142+1.76 EUR
230+1.01 EUR
278+0.77 EUR
349+0.62 EUR
500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 142 Stücke
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BSS87H6327FTSA1 INFN-S-A0002220480-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS87H6327FTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS87H6327FTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 260 mA, 6 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1037 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
142+1.76 EUR
230+1.01 EUR
278+0.77 EUR
349+0.62 EUR
500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 142 Stücke
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BSS87H6327FTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.26A; 1W; SOT89-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.26A
Power dissipation: 1W
Case: SOT89-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 536 Stücke:
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