BST400D12P4A101 Rohm Semiconductor
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Technische Details BST400D12P4A101 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - BST400D12P4A101 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 394 A, 1.2 kV, 0.0035 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 394A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, Verlustleistung: 1.667kW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 12Pin(s), Produktpalette: TRCDRIVE Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm.
Weitere Produktangebote BST400D12P4A101 nach Preis ab 939.91 EUR bis 1274.59 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
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BST400D12P4A101 | ROHM Semiconductor |
 MOSFET Modules half-bridge module consisting of SiC-MOSFETs, suitable for Automotive application, Inverter, Converter, and (Hybrid) electrical vehicles EV/HEV. |
auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BST400D12P4A101 | ROHM |
Description: ROHM - BST400D12P4A101 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 394 A, 1.2 kV, 0.0035 ohm, Modul tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 394A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke Verlustleistung: 1.667kW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 12Pin(s) Produktpalette: TRCDRIVE Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm |
auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BST400D12P4A101 |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFET Modules half-bridge module consisting of SiC-MOSFETs, suitable for Automotive application, Inverter, Converter, and (Hybrid) electrical vehicles EV/HEV.
MOSFET Modules half-bridge module consisting of SiC-MOSFETs, suitable for Automotive application, Inverter, Converter, and (Hybrid) electrical vehicles EV/HEV.
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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| BST400D12P4A101 |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - BST400D12P4A101 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 394 A, 1.2 kV, 0.0035 ohm, Modul
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euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 394A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: 1.667kW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: TRCDRIVE Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
Description: ROHM - BST400D12P4A101 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 394 A, 1.2 kV, 0.0035 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 394A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: 1.667kW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: TRCDRIVE Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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