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BST51,115

BST51,115 NEXPERIA

BST50.115.pdf Hersteller: NEXPERIA
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 1A; 1.3W; SC62,SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.3W
Case: SC62; SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 879 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
171+0.42 EUR
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Technische Details BST51,115 NEXPERIA

Description: TRANS NPN DARL 60V 1A SOT89, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Darlington, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V, Frequency - Transition: 200MHz, Supplier Device Package: SOT-89, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 1.3 W, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
BST51,115 BST51,115 Hersteller : NEXPERIA BST50.115.pdf Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 1A; 1.3W; SC62,SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.3W
Case: SC62; SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
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Anzahl Preis ohne MwSt
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BST51,115 BST51,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. Description: TRANS NPN DARL 60V 1A SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.3 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 890 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
26+1.01 EUR
30+ 0.87 EUR
100+ 0.61 EUR
500+ 0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 26
BST51,115 BST51,115 Hersteller : Nexperia BST51-3357028.pdf Darlington Transistors BST51/SOT89/MPT3
auf Bestellung 2682 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
44+1.19 EUR
52+ 1.01 EUR
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500+ 0.76 EUR
1000+ 0.4 EUR
2000+ 0.36 EUR
10000+ 0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 44
BST51,115 Hersteller : NEXPERIA BST50_51_52.pdf Description: NEXPERIA - BST51,115 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 70000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BST51,115 BST51,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. Description: TRANS NPN DARL 60V 1A SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.3 W
Qualification: AEC-Q101
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