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BST51,115

BST51,115 Nexperia

183388604446882bst50_51_52.pdf Hersteller: Nexperia
Trans Darlington NPN 60V 1A 1300mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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Technische Details BST51,115 Nexperia

Description: TRANS NPN DARL 60V 1A SOT89, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Darlington, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V, Frequency - Transition: 200MHz, Supplier Device Package: SOT-89, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 1.3 W, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BST51,115 BST51,115 Hersteller : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE4BBC96B0764026469&compId=BST50.115.pdf?ci_sign=d722266967f84f722683798cfe7aeedededc2628 Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 1A; 1.3W; SC62,SOT89
Kind of transistor: Darlington
Type of transistor: NPN
Mounting: SMD
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.3W
Collector-emitter voltage: 60V
Frequency: 200MHz
Case: SC62; SOT89
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 1A; 1.3W; SC62,SOT89
Kind of transistor: Darlington
Type of transistor: NPN
Mounting: SMD
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.3W
Collector-emitter voltage: 60V
Frequency: 200MHz
Case: SC62; SOT89
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar
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BST51,115 BST51,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. BST51.pdf Description: TRANS NPN DARL 60V 1A SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.3 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BST51,115 BST51,115 Hersteller : Nexperia BST51.pdf Darlington Transistors SOT89 60V 1A NPN DARLINGTON
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BST51,115 Hersteller : NEXPERIA BST50_51_52.pdf Description: NEXPERIA - BST51,115 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
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