BST62,115 Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.Description: TRANS PNP DARL 80V 1A SOT-89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.3 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details BST62,115 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BST62,115 - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 80 V, 1.3 W, 1 A, SOT-89, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 2000hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 2000hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.3W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - HF-Transistor: SOT-89, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 1A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote BST62,115 nach Preis ab 0.25 EUR bis 1.64 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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BST62,115 | Hersteller : Nexperia |
Darlington Transistors BST62/SOT89/MPT3 |
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BST62,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP DARL 80V 1A SOT-89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.3 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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BST62,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BST62,115 - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 80 V, 1.3 W, 1 A, SOT-89, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 2000hFE Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.3W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: SOT-89 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 1A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 63 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BST62,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BST62,115 - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 80 V, 1.3 W, 1 A, SOT-89, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 2000hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 2000hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.3W euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - HF-Transistor: SOT-89 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 1A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 63 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BST62,115 | Hersteller : NEXPERIA |
BST62.115 PNP SMD Darlington transistors |
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BST62,115 Produktcode: 125732
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP |
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BST62,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans Darlington PNP 80V 1A 1300mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
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