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BST82,215

BST82,215 Nexperia

bst82.pdf Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BST82,215 Nexperia

Description: NEXPERIA - BST82,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 190mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 830mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BST82,215 BST82,215 Hersteller : Nexperia bst82.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
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BST82,215 BST82,215 Hersteller : Nexperia bst82.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
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BST82,215 BST82,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. BST82.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 190MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 150mA, 5V
Power Dissipation (Max): 830mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
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BST82,215 BST82,215 Hersteller : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0474584F04FF1A6F5005056AB5A8F&compId=BST82.pdf?ci_sign=53e4b84e3ae30acacb82dc9a102e3c719696ef6e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.19A; 830mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.19A
Power dissipation: 0.83W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
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582+0.12 EUR
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Mindestbestellmenge: 500
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BST82,215 BST82,215 Hersteller : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0474584F04FF1A6F5005056AB5A8F&compId=BST82.pdf?ci_sign=53e4b84e3ae30acacb82dc9a102e3c719696ef6e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.19A; 830mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.19A
Power dissipation: 0.83W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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BST82,215 BST82,215 Hersteller : Nexperia bst82.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
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BST82,215 BST82,215 Hersteller : Nexperia BST82.pdf MOSFETs SOT23 100V .19A N-CH FET
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BST82,215 BST82,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. BST82.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 190MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 150mA, 5V
Power Dissipation (Max): 830mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
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BST82,215 BST82,215 Hersteller : NEXPERIA BST82.pdf Description: NEXPERIA - BST82,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 91890 Stücke:
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BST82,215 BST82,215 Hersteller : NEXPERIA BST82.pdf Description: NEXPERIA - BST82,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BST82,215 BST82,215 Hersteller : Nexperia bst82.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
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BST82,215 BST82,215 Hersteller : Nexperia bst82.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 835 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BST82,215 BST82,215 Hersteller : NEXPERIA 2871798.pdf Description: NEXPERIA - BST82,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BST82,215 BST82,215 Hersteller : NEXPERIA 70439922273739bst82.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
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BST82,215 Hersteller : NXP BST82.pdf N-MOSFET 190mA 100V 0.83W 10Ω BST82 TBST82
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
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100+0.33 EUR
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BST82,215 Hersteller : NXP BST82.pdf N-MOSFET 190mA 100V 0.83W 10Ω BST82 TBST82
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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100+0.33 EUR
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BST82,215 BST82,215 Hersteller : Nexperia bst82.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
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BST82,215 BST82,215 Hersteller : NEXPERIA 70439922273739bst82.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
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BST82.215 BST82.215 Hersteller : NXP pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1D63D200FD661F1A704005056AB0C4F&compId=bst82.pdf?ci_sign=8bcb12fa85b3593c3b0d2b596eb4dbf4d6eb2a6b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 190mA; 830mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.19A
Case: SOT23
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Power: 0.83W
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