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BSV52,215

BSV52,215 NXP Semiconductors

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Hersteller: NXP Semiconductors
Trans GP BJT NPN 12V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BSV52,215 NXP Semiconductors

Description: NEXPERIA - BSV52,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), schaltend, NPN, 12 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 500MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSV52,215 BSV52,215 NXP Semiconductors 1747008023376565bsv52.pdf Trans GP BJT NPN 12V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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BSV52,215 BSV52,215 NXP Semiconductors 1747008023376565bsv52.pdf Trans GP BJT NPN 12V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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BSV52,215 BSV52,215 NXP Semiconductors 1747008023376565bsv52.pdf Trans GP BJT NPN 12V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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BSV52,215 BSV52,215 Nexperia bsv52.pdf Trans GP BJT NPN 12V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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BSV52,215 BSV52,215 Nexperia USA Inc. PHGLS19437-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 12V 0.1A TO-236AB
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BSV52,215 BSV52,215 NEXPERIA 2901961.pdf Description: NEXPERIA - BSV52,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), schaltend, NPN, 12 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 500MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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BSV52,215 BSV52,215 NEXPERIA 2901961.pdf Description: NEXPERIA - BSV52,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), schaltend, NPN, 12 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 500MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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BSV52.215 NXP/Nexperia/We-En BSV52.pdf Транзистор NPN, Uceo, В = 12, Ic = 100 мА, ft, МГц = 500, Р, Вт = 0,25, Тексп, °C = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 48 Stücke:
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Trans GP BJT NPN 12V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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Trans GP BJT NPN 12V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSV52,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), schaltend, NPN, 12 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 500MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSV52,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), schaltend, NPN, 12 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 500MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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Hersteller: NXP/Nexperia/We-En
Транзистор NPN, Uceo, В = 12, Ic = 100 мА, ft, МГц = 500, Р, Вт = 0,25, Тексп, °C = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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