Technische Details BSV52 PHILIPS
Description: ONSEMI - BSV52 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, DC-Stromverstärkung hFE: 25, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 200, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 225, Verlustleistung: 225, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 12, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 200, Übergangsfrequenz: 400, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote BSV52
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| BSV52 | NXP |
 (NPN,12V,0.1A,0.25W,B>40,400MHZ,SOT-23) Транзистори |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
 |
BSV52 | onsemi |
Description: TRANS NPN 12V 0.2A SOT-23-3 Power - Max: 225 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-23-3 Frequency - Transition: 400MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
BSV52 | onsemi |
Description: TRANS NPN 12V 0.2A SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 400MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 225 mW |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
 |
BSV52 | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT Switching Transistor NPN |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
BSV52 | onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT Switching Transistor NPN |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
 |
BSV52 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BSV52 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 25 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 200 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 225 Verlustleistung: 225 Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 12 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12 Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 200 Übergangsfrequenz: 400 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 150 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
BSV52 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BSV52 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 25 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 200 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 225 Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 400 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BSV52 |
|
Hersteller: NXP
(NPN,12V,0.1A,0.25W,B>40,400MHZ,SOT-23) Транзистори
(NPN,12V,0.1A,0.25W,B>40,400MHZ,SOT-23) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BSV52 |
|
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 12V 0.2A SOT-23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23-3
Frequency - Transition: 400MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: TRANS NPN 12V 0.2A SOT-23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23-3
Frequency - Transition: 400MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BSV52 |
|
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 12V 0.2A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 225 mW
Description: TRANS NPN 12V 0.2A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 225 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BSV52 |
|
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT Switching Transistor NPN
Bipolar Transistors - BJT Switching Transistor NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BSV52 |
|
Hersteller: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT Switching Transistor NPN
Bipolar Transistors - BJT Switching Transistor NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BSV52 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSV52 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 25
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 225
Verlustleistung: 225
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 12
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 200
Übergangsfrequenz: 400
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - BSV52 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 25
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 225
Verlustleistung: 225
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 12
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 200
Übergangsfrequenz: 400
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BSV52 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSV52 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 25
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - BSV52 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 25
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH