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BSZ021N04LS6ATMA1

BSZ021N04LS6ATMA1 INFINEON

3629265.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ021N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 147 A, 1800 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 147A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
auf Bestellung 1407 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.44 EUR
104+2.07 EUR
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Technische Details BSZ021N04LS6ATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - BSZ021N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 147 A, 1800 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 147A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 83W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, Verlustleistung: 83W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSDSON-FL, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSZ021N04LS6ATMA1 BSZ021N04LS6ATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSZ021N04LS6_DataSheet_v02_03_EN.pdf MOSFETs IFX FET 40V
auf Bestellung 6963 Stücke:
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1+3.67 EUR
10+1.77 EUR
100+1.58 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.23 EUR
2500+1.13 EUR
5000+1.02 EUR
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BSZ021N04LS6ATMA1 BSZ021N04LS6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ021N04LS6-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168bd2c15304823 Description: MOSFET N-CH 40V 25A/40A TSDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5510 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.72 EUR
10+2.38 EUR
50+1.8 EUR
100+1.61 EUR
500+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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BSZ021N04LS6ATMA1 BSZ021N04LS6ATMA1 INFINEON 3629265.pdf Description: INFINEON - BSZ021N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 147 A, 1800 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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rohsCompliant: YES
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
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Mindestbestellmenge: 43 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 40V
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100+1.58 EUR
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Description: MOSFET N-CH 40V 25A/40A TSDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5510 Stücke:
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Description: INFINEON - BSZ021N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 147 A, 1800 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
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hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
auf Bestellung 1407 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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43+5.84 EUR
68+3.44 EUR
104+2.07 EUR
500+1.64 EUR
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Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH