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BSZ024N04LS6ATMA1

BSZ024N04LS6ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSZ024N04LS6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168bd2c29ed4826
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 24A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
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Technische Details BSZ024N04LS6ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSZ024N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 2400 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 130A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: TSDSON-FL, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSZ024N04LS6ATMA1 BSZ024N04LS6ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsz024n04ls6-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 200000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BSZ024N04LS6ATMA1 BSZ024N04LS6ATMA1 INFINEON 3204719.pdf Description: INFINEON - BSZ024N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 2400 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
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Dauer-Drainstrom Id: 130A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 25594 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+2.77 EUR
111+2.09 EUR
145+1.48 EUR
500+1.11 EUR
1000+1.02 EUR
5000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
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BSZ024N04LS6ATMA1 BSZ024N04LS6ATMA1 INFINEON 3204719.pdf Description: INFINEON - BSZ024N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 2400 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
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Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 25594 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.77 EUR
111+2.09 EUR
145+1.48 EUR
500+1.11 EUR
1000+1.02 EUR
5000+0.83 EUR
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BSZ024N04LS6ATMA1 BSZ024N04LS6ATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSZ024N04LS6_DataSheet_v02_02_EN.pdf MOSFETs IFX FET 40V
auf Bestellung 270 Stücke:
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2+3.28 EUR
10+1.69 EUR
100+1.51 EUR
500+1.19 EUR
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BSZ024N04LS6ATMA1 BSZ024N04LS6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ024N04LS6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168bd2c29ed4826 Description: MOSFET N-CH 40V 24A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 75W (Tc)
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Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
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BSZ024N04LS6ATMA1 BSZ024N04LS6ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsz024n04ls6-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TSDSON EP T/R
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2000+1.56 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TSDSON EP T/R
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BSZ024N04LS6ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ024N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 2400 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 25594 Stücke:
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BSZ024N04LS6ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ024N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 2400 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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1000+1.02 EUR
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ024N04LS6ATMA1 Infineon-BSZ024N04LS6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168bd2c29ed4826
BSZ024N04LS6ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 24A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+3.71 EUR
10+2.37 EUR
50+1.77 EUR
100+1.58 EUR
500+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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BSZ024N04LS6ATMA1 infineon-bsz024n04ls6-datasheet-v02_02-en.pdf
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Trans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 4818 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
28+6.24 EUR
58+3 EUR
63+2.68 EUR
100+2.11 EUR
200+1.96 EUR
500+1.93 EUR
1000+1.67 EUR
2000+1.56 EUR
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