Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > BSZ040N06LS5ATMA1
BSZ040N06LS5ATMA1

BSZ040N06LS5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSZ040N06LS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156e53aa56447aa
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 101A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+1.04 EUR
10000+0.98 EUR
15000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details BSZ040N06LS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSZ040N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.004 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 69W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69W, Bauform - Transistor: TSDSON-FL, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote BSZ040N06LS5ATMA1 nach Preis ab 1.18 EUR bis 4.5 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSZ040N06LS5ATMA1 BSZ040N06LS5ATMA1 INFINEON Infineon-BSZ040N06LS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156e53aa56447aa Description: INFINEON - BSZ040N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.004 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 10929 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.83 EUR
250+1.87 EUR
1000+1.36 EUR
3000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ040N06LS5ATMA1 BSZ040N06LS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ040N06LS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156e53aa56447aa Description: MOSFET N-CH 60V 101A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V
auf Bestellung 18043 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.94 EUR
10+2.5 EUR
100+1.69 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.24 EUR
2000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ040N06LS5ATMA1 BSZ040N06LS5ATMA1 INFINEON Infineon-BSZ040N06LS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156e53aa56447aa Description: INFINEON - BSZ040N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.004 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 10929 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+4.2 EUR
82+2.83 EUR
250+1.87 EUR
1000+1.36 EUR
3000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ040N06LS5ATMA1 BSZ040N06LS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSZ040N06LS5_DataSheet_v02_03_EN.pdf MOSFETs MV POWER MOS
auf Bestellung 71963 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.5 EUR
10+2.89 EUR
100+1.96 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.48 EUR
2500+1.4 EUR
5000+1.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ040N06LS5ATMA1 Infineon-BSZ040N06LS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156e53aa56447aa
BSZ040N06LS5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ040N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.004 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 10929 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.83 EUR
250+1.87 EUR
1000+1.36 EUR
3000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ040N06LS5ATMA1 Infineon-BSZ040N06LS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156e53aa56447aa
BSZ040N06LS5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 101A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V
auf Bestellung 18043 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+3.94 EUR
10+2.5 EUR
100+1.69 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.24 EUR
2000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ040N06LS5ATMA1 Infineon-BSZ040N06LS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156e53aa56447aa
BSZ040N06LS5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ040N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.004 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 10929 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
60+4.2 EUR
82+2.83 EUR
250+1.87 EUR
1000+1.36 EUR
3000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ040N06LS5ATMA1 Infineon_BSZ040N06LS5_DataSheet_v02_03_EN.pdf
BSZ040N06LS5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MV POWER MOS
auf Bestellung 71963 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.5 EUR
10+2.89 EUR
100+1.96 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.48 EUR
2500+1.4 EUR
5000+1.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH