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BSZ050N03LSGATMA1

BSZ050N03LSGATMA1 Infineon Technologies

1510bsz050n03lsg_rev1.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8ed2a02dbfi.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin TSDSON EP T/R
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Technische Details BSZ050N03LSGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSZ050N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 5000 µohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 50W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PG-TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSZ050N03LSGATMA1 BSZ050N03LSGATMA1 Infineon Technologies 1510bsz050n03lsg_rev1.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8ed2a02dbfi.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin TSDSON EP T/R
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Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
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BSZ050N03LSGATMA1 BSZ050N03LSGATMA1 Infineon Technologies BSZ050N03LSG_rev1.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a304313b8b5a60113d3f6944e03ee Description: MOSFET N-CH 30V 16A/40A 8TSDSON
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Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 40A (Tc)
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Part Status: Active
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
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BSZ050N03LSGATMA1 BSZ050N03LSGATMA1 Infineon Technologies infineon_bsz050n03ls_g_datasheet_en.pdf MOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
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BSZ050N03LSGATMA1 BSZ050N03LSGATMA1 INFINEON INFNS16421-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ050N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 5000 µohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
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Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin TSDSON EP T/R
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 16A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 40A (Tc)
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Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
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Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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5000+0.61 EUR
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BSZ050N03LSGATMA1 BSZ050N03LSG_rev1.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a304313b8b5a60113d3f6944e03ee
BSZ050N03LSGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 16A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
auf Bestellung 5753 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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MOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 8918 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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10+1.11 EUR
100+0.99 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.74 EUR
2500+0.67 EUR
5000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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BSZ050N03LSGATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ050N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 5000 µohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
auf Bestellung 13580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
79+3.18 EUR
171+1.36 EUR
194+1.11 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.79 EUR
5000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH