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BSZ060NE2LSATMA1

BSZ060NE2LSATMA1 Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
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Technische Details BSZ060NE2LSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSZ060NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 6000 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 26W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm.

Weitere Produktangebote BSZ060NE2LSATMA1 nach Preis ab 0.33 EUR bis 2.18 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSZ060NE2LSATMA1 BSZ060NE2LSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsz060ne2ls-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
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BSZ060NE2LSATMA1 BSZ060NE2LSATMA1 Infineon Technologies BSZ060NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432ea425a4012ec927cb360e1f Description: MOSFET N-CH 25V 12A/44A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 12 V
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BSZ060NE2LSATMA1 BSZ060NE2LSATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSZ060NE2LS_DataSheet_v02_04_EN-3360872.pdf MOSFETs N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS
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BSZ060NE2LSATMA1 BSZ060NE2LSATMA1 INFINEON BSZ060NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432ea425a4012ec927cb360e1f Description: INFINEON - BSZ060NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 6000 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 26W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
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125+2.01 EUR
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BSZ060NE2LSATMA1 BSZ060NE2LSATMA1 INFINEON BSZ060NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432ea425a4012ec927cb360e1f Description: INFINEON - BSZ060NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 6000 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
isCanonical: N
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
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BSZ060NE2LSATMA1 BSZ060NE2LSATMA1 Infineon Technologies BSZ060NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432ea425a4012ec927cb360e1f Description: MOSFET N-CH 25V 12A/44A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 44A (Tc)
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Part Status: Active
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Description: MOSFET N-CH 25V 12A/44A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 44A (Tc)
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Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
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BSZ060NE2LSATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ060NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 6000 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: TSDSON
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
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BSZ060NE2LSATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ060NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 6000 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 26W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 12A/44A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
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Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 12 V
auf Bestellung 94320 Stücke:
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