BSZ0704LSATMA1 Infineon Technologies
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Technische Details BSZ0704LSATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSZ0704LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 8300 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 36W, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018), Bauform - Transistor: TSDSON-FL, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8300µohm.
Weitere Produktangebote BSZ0704LSATMA1 nach Preis ab 0.52 EUR bis 2.06 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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BSZ0704LSATMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R |
auf Bestellung 79701 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSZ0704LSATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R |
auf Bestellung 78429 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSZ0704LSATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH 40<-<100V |
auf Bestellung 44915 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSZ0704LSATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ0704LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 8300 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 36W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: TSDSON-FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8300µohm |
auf Bestellung 9358 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSZ0704LSATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ0704LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 8300 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 36W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: TSDSON-FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8300µohm |
auf Bestellung 9358 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSZ0704LSATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 79701 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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| 10000+ | 0.57 EUR |
| BSZ0704LSATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
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| BSZ0704LSATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH 40<-<100V
MOSFET TRENCH 40<-<100V
auf Bestellung 44915 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 1.74 EUR |
| 10+ | 1.55 EUR |
| 100+ | 1.18 EUR |
| 500+ | 0.94 EUR |
| 1000+ | 0.75 EUR |
| 2500+ | 0.68 EUR |
| 5000+ | 0.63 EUR |
| BSZ0704LSATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ0704LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 8300 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 36W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8300µohm
Description: INFINEON - BSZ0704LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 8300 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
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Produktpalette: OptiMOS
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usEccn: EAR99
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8300µohm
auf Bestellung 9358 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 122+ | 2.06 EUR |
| 197+ | 1.18 EUR |
| 247+ | 0.87 EUR |
| 500+ | 0.71 EUR |
| 1000+ | 0.64 EUR |
| 5000+ | 0.52 EUR |
| BSZ0704LSATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ0704LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 8300 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8300µohm
Description: INFINEON - BSZ0704LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 8300 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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auf Bestellung 9358 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 122+ | 2.06 EUR |
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