Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > BSZ070N08LS5ATMA1
BSZ070N08LS5ATMA1

BSZ070N08LS5ATMA1 Infineon Technologies

infineonbsz070n08ls5datasheetv0203en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details BSZ070N08LS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSZ070N08LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 7000 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 74A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 69W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, Verlustleistung: 69W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSDSON-FL, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0059ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm.

Weitere Produktangebote BSZ070N08LS5ATMA1 nach Preis ab 1.15 EUR bis 5.7 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSZ070N08LS5ATMA1 BSZ070N08LS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsz070n08ls5datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ070N08LS5ATMA1 BSZ070N08LS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ070N08LS5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156e60d9bc9507d Description: MOSFET N-CH 80V 74A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 40 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ070N08LS5ATMA1 BSZ070N08LS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsz070n08ls5datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 515 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
295+2.21 EUR
500+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 295 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ070N08LS5ATMA1 BSZ070N08LS5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0002785621-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ070N08LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 7000 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 69W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0059ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
auf Bestellung 3087 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.93 EUR
250+2.68 EUR
1000+2.11 EUR
3000+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ070N08LS5ATMA1 BSZ070N08LS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsz070n08ls5datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 5863 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+4.22 EUR
71+2.43 EUR
100+2.06 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.54 EUR
2500+1.48 EUR
5000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ070N08LS5ATMA1 BSZ070N08LS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsz070n08ls5datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 5863 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+4.22 EUR
71+2.38 EUR
100+1.99 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.42 EUR
2500+1.33 EUR
5000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ070N08LS5ATMA1 BSZ070N08LS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ070N08LS5-DataSheet-v02_03-EN.pdf MOSFETs IFX FET > 60-80V
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.99 EUR
10+3.22 EUR
100+2.23 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.67 EUR
2500+1.61 EUR
5000+1.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ070N08LS5ATMA1 BSZ070N08LS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ070N08LS5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156e60d9bc9507d Description: MOSFET N-CH 80V 74A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 40 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.4 EUR
10+3.49 EUR
50+2.65 EUR
100+2.39 EUR
500+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ070N08LS5ATMA1 BSZ070N08LS5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0002785621-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ070N08LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 7000 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 69W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
auf Bestellung 3087 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+5.7 EUR
60+3.93 EUR
250+2.68 EUR
1000+2.11 EUR
3000+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ070N08LS5ATMA1 Infineon Infineon-BSZ070N08LS5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156e60d9bc9507d
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ070N08LS5ATMA1 infineonbsz070n08ls5datasheetv0203en.pdf
BSZ070N08LS5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ070N08LS5ATMA1 Infineon-BSZ070N08LS5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156e60d9bc9507d
BSZ070N08LS5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 74A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 40 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ070N08LS5ATMA1 infineonbsz070n08ls5datasheetv0203en.pdf
BSZ070N08LS5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 515 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
295+2.21 EUR
500+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 295 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ070N08LS5ATMA1 INFN-S-A0002785621-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSZ070N08LS5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ070N08LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 7000 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 69W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0059ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
auf Bestellung 3087 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.93 EUR
250+2.68 EUR
1000+2.11 EUR
3000+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ070N08LS5ATMA1 infineonbsz070n08ls5datasheetv0203en.pdf
BSZ070N08LS5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 5863 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
42+4.22 EUR
71+2.43 EUR
100+2.06 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.54 EUR
2500+1.48 EUR
5000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ070N08LS5ATMA1 infineonbsz070n08ls5datasheetv0203en.pdf
BSZ070N08LS5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 5863 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
42+4.22 EUR
71+2.38 EUR
100+1.99 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.42 EUR
2500+1.33 EUR
5000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ070N08LS5ATMA1 Infineon-BSZ070N08LS5-DataSheet-v02_03-EN.pdf
BSZ070N08LS5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET > 60-80V
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.99 EUR
10+3.22 EUR
100+2.23 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.67 EUR
2500+1.61 EUR
5000+1.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ070N08LS5ATMA1 Infineon-BSZ070N08LS5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156e60d9bc9507d
BSZ070N08LS5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 74A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 40 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+5.4 EUR
10+3.49 EUR
50+2.65 EUR
100+2.39 EUR
500+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ070N08LS5ATMA1 INFN-S-A0002785621-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSZ070N08LS5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ070N08LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 7000 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 69W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
auf Bestellung 3087 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
44+5.7 EUR
60+3.93 EUR
250+2.68 EUR
1000+2.11 EUR
3000+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ070N08LS5ATMA1 Infineon-BSZ070N08LS5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156e60d9bc9507d
Hersteller: Infineon
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH