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BSZ070N08LS5ATMA1

BSZ070N08LS5ATMA1 Infineon Technologies

infineonbsz070n08ls5datasheetv0203en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
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Technische Details BSZ070N08LS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSZ070N08LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 7000 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 74A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 69W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, Verlustleistung: 69W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSDSON-FL, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0059ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSZ070N08LS5ATMA1 BSZ070N08LS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsz070n08ls5datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
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BSZ070N08LS5ATMA1 BSZ070N08LS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsz070n08ls5datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 5908 Stücke:
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152+1.11 EUR
200+1.06 EUR
2000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 152 Stücke
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BSZ070N08LS5ATMA1 BSZ070N08LS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsz070n08ls5datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 40000 Stücke:
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5000+1.37 EUR
20000+1.24 EUR
30000+1.13 EUR
40000+1.04 EUR
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BSZ070N08LS5ATMA1 BSZ070N08LS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ070N08LS5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156e60d9bc9507d Description: MOSFET N-CH 80V 74A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 40 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1.38 EUR
10000+1.34 EUR
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BSZ070N08LS5ATMA1 BSZ070N08LS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsz070n08ls5datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 760 Stücke:
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367+1.78 EUR
500+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 367 Stücke
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BSZ070N08LS5ATMA1 BSZ070N08LS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ070N08LS5-DataSheet-v02_03-EN.pdf MOSFETs TRENCH 40<-<100V
auf Bestellung 13225 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.03 EUR
10+1.51 EUR
100+1.31 EUR
500+1.3 EUR
5000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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BSZ070N08LS5ATMA1 BSZ070N08LS5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0002785621-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ070N08LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 7000 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 69W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0059ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
auf Bestellung 3607 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.55 EUR
250+2.44 EUR
1000+1.87 EUR
3000+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BSZ070N08LS5ATMA1 BSZ070N08LS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ070N08LS5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156e60d9bc9507d Description: MOSFET N-CH 80V 74A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 40 V
auf Bestellung 19205 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.94 EUR
10+3.19 EUR
100+2.19 EUR
500+1.76 EUR
1000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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BSZ070N08LS5ATMA1 BSZ070N08LS5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0002785621-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ070N08LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 7000 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 69W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
auf Bestellung 3607 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+5.18 EUR
66+3.55 EUR
250+2.44 EUR
1000+1.87 EUR
3000+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
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BSZ070N08LS5ATMA1 BSZ070N08LS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsz070n08ls5datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 10 Stücke:
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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5000+0.93 EUR
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Trans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 5908 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
152+1.11 EUR
200+1.06 EUR
2000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 152 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+1.37 EUR
20000+1.24 EUR
30000+1.13 EUR
40000+1.04 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 74A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 40 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
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10000+1.34 EUR
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Trans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 760 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
367+1.78 EUR
500+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 367 Stücke
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MOSFETs TRENCH 40<-<100V
auf Bestellung 13225 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2+2.03 EUR
10+1.51 EUR
100+1.31 EUR
500+1.3 EUR
5000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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BSZ070N08LS5ATMA1 INFN-S-A0002785621-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSZ070N08LS5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ070N08LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 7000 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 69W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0059ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
auf Bestellung 3607 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.55 EUR
250+2.44 EUR
1000+1.87 EUR
3000+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ070N08LS5ATMA1 Infineon-BSZ070N08LS5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156e60d9bc9507d
BSZ070N08LS5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 74A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 40 V
auf Bestellung 19205 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+4.94 EUR
10+3.19 EUR
100+2.19 EUR
500+1.76 EUR
1000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ070N08LS5ATMA1 INFN-S-A0002785621-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSZ070N08LS5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ070N08LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 7000 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 69W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
auf Bestellung 3607 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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49+5.18 EUR
66+3.55 EUR
250+2.44 EUR
1000+1.87 EUR
3000+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ070N08LS5ATMA1 Infineon-BSZ070N08LS5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156e60d9bc9507d
Hersteller: Infineon
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH