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BSZ0803LSATMA1 Infineon Technologies


Infineon-BSZ0803LS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae601708b98d50c142d
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH >=100V
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Technische Details BSZ0803LSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSZ0803LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0124 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: TSDSON-FL, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSZ0803LSATMA1 BSZ0803LSATMA1 INFINEON Infineon-BSZ0803LS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae601708b98d50c142d Description: INFINEON - BSZ0803LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0124 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
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Produktpalette: OptiMOS 5
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 5000 Stücke:
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BSZ0803LSATMA1 BSZ0803LSATMA1 INFINEON Infineon-BSZ0803LS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae601708b98d50c142d Description: INFINEON - BSZ0803LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0124 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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Mindestbestellmenge: 63 Stücke
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BSZ0803LSATMA1 Infineon-BSZ0803LS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae601708b98d50c142d
Hersteller: INFINEON
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Description: INFINEON - BSZ0803LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0124 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
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