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BSZ0803LSATMA1

BSZ0803LSATMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSZ0803LS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae601708b98d50c142d
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH >=100V
auf Bestellung 4953 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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10+2.68 EUR
100+2.08 EUR
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Technische Details BSZ0803LSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSZ0803LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0124 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 52W, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018), Bauform - Transistor: TSDSON-FL, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSZ0803LSATMA1 BSZ0803LSATMA1 INFINEON 3049658.pdf Description: INFINEON - BSZ0803LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0124 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
auf Bestellung 4940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+3.32 EUR
103+2.27 EUR
143+1.5 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
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Description: INFINEON - BSZ0803LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0124 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
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