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BSZ0902NSIATMA1

BSZ0902NSIATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsz0902nsi-datasheet-v02_02-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
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Technische Details BSZ0902NSIATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSZ0902NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2300 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSZ0902NSIATMA1 BSZ0902NSIATMA1 INFINEON INFNS27869-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ0902NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2300 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BSZ0902NSIATMA1 BSZ0902NSIATMA1 INFINEON INFNS27869-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ0902NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2300 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BSZ0902NSIATMA1 BSZ0902NSIATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSZ0902NSI_DataSheet_v02_03_EN.pdf MOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
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Hersteller: INFINEON
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Description: INFINEON - BSZ0902NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2300 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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