BSZ0904NSIATMA1 Infineon Technologies
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5000+ | 0.38 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details BSZ0904NSIATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V, FET Feature: Schottky Diode (Body), Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1463 pF @ 15 V.
Weitere Produktangebote BSZ0904NSIATMA1 nach Preis ab 0.45 EUR bis 1.71 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSZ0904NSIATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSONPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Body) Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1463 pF @ 15 V |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
BSZ0904NSIATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
BSZ0904NSIATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS |
auf Bestellung 16472 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
BSZ0904NSIATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Body) Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1463 pF @ 15 V |
auf Bestellung 5610 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
BSZ0904NSIATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ0904NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0033 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 37W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1297 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
|
|
BSZ0904NSIATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ0904NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0033 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 37W Anzahl der Pins: 8Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm |
auf Bestellung 4202 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
 |
BSZ0904NSIATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
|
|
BSZ0904NSIATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
|
|
BSZ0904NSIATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |