BSZ099N06LS5 Infineon Technologies


Infineon_BSZ099N06LS5_DataSheet_v02_04_EN-3361010.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH 40<-<100V
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Technische Details BSZ099N06LS5 Infineon Technologies

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29A; 36W; PG-TSDSON-8, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: OptiMOS™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 29A, Power dissipation: 36W, Case: PG-TSDSON-8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 9.9mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 6.9nC, Kind of channel: enhancement.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSZ099N06LS5ATMA1 BSZ099N06LS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ099N06LS5.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29A; 36W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 29A
Power dissipation: 36W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.9nC
Kind of channel: enhancement
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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BSZ099N06LS5ATMA1 BSZ099N06LS5.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29A; 36W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 29A
Power dissipation: 36W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.9nC
Kind of channel: enhancement
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