BSZ100N06LS3 G Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 11 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 3500 @ 30, Qg, нКл = 45 @ 10 В, Rds = 10 мОм @ 20 A, 10 В, Ugs(th) = 2,2 В @ 23 мкА, Р, Вт = 2,1 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, Id2 = 20 A, Ptot2, Вт = 50,... Транзистори Корпус:
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Technische Details BSZ100N06LS3 G Infineon Technologies
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 11 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 3500 @ 30, Qg, нКл = 45 @ 10 В, Rds = 10 мОм @ 20 A, 10 В, Ugs(th) = 2,2 В @ 23 мкА, Р, Вт = 2,1 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, Id2 = 20 A, Ptot2, Вт = 50,... Транзистори Корпус: , Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| BSZ100N06LS3 G | Infineon | MOSFET N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3 Транзистори |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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BSZ100N06LS3 G | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BSZ100N06LS3 G |
Hersteller: Infineon
MOSFET N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3 Транзистори
MOSFET N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3 Транзистори
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| BSZ100N06LS3 G |
|
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3
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