BSZ100N06LS3G Infineon Technologies
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 91+ | 1.58 EUR |
| 100+ | 1.45 EUR |
| 250+ | 1.34 EUR |
| 500+ | 1.24 EUR |
| 1000+ | 1.16 EUR |
| 2500+ | 1.07 EUR |
| 5000+ | 1 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details BSZ100N06LS3G Infineon Technologies
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 11 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 3500 @ 30, Qg, нКл = 45 @ 10 В, Rds = 10 мОм @ 20 A, 10 В, Ugs(th) = 2,2 В @ 23 мкА, Р, Вт = 2,1 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, Id2 = 20 A, Ptot2, Вт = 50,... Група товару: Транзи, Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke.
Weitere Produktangebote BSZ100N06LS3G nach Preis ab 0.68 EUR bis 2.46 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSZ100N06LS3 G | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3 |
auf Bestellung 6375 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
| BSZ100N06LS3 G | Hersteller : Infineon Technologies |
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 11 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 3500 @ 30, Qg, нКл = 45 @ 10 В, Rds = 10 мОм @ 20 A, 10 В, Ugs(th) = 2,2 В @ 23 мкА, Р, Вт = 2,1 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, Id2 = 20 A, Ptot2, Вт = 50,... Група товару: ТранзиAnzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
verfügbar 2503 Stücke: |
||||||||||||||||||
|
BSZ100N06LS3G | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
| BSZ100N06LS3 G | Hersteller : Infineon | MOSFET N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |

