BSZ100N06LS3G Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 91+ | 1.6 EUR |
| 100+ | 1.47 EUR |
| 250+ | 1.36 EUR |
| 500+ | 1.26 EUR |
| 1000+ | 1.17 EUR |
| 2500+ | 1.09 EUR |
| 5000+ | 1.01 EUR |
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Technische Details BSZ100N06LS3G Infineon Technologies
N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 11 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 3500 @ 30; Qg, нКл = 45 @ 10 В; Rds = 10 мОм @ 20 A, 10 В; Ugs(th) = 2,2 В @ 23 мкА; Р, Вт = 2,1 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; Id2 = 20 A; Ptot2, Вт = 50; PG-TSDSON-8.
Weitere Produktangebote BSZ100N06LS3G nach Preis ab 0.62 EUR bis 2.46 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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BSZ100N06LS3 G | Hersteller : Infineon Technologies |
 MOSFETs N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3 |
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| BSZ100N06LS3 G | Hersteller : Infineon Technologies | N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 11 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 3500 @ 30; Qg, нКл = 45 @ 10 В; Rds = 10 мОм @ 20 A, 10 В; Ugs(th) = 2,2 В @ 23 мкА; Р, Вт = 2,1 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; Id2 = 20 A; Ptot2, Вт = 50; PG-TSDSON-8 |
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BSZ100N06LS3G | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R |
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