BSZ146N10LS5ATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details BSZ146N10LS5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSZ146N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0124 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote BSZ146N10LS5ATMA1 nach Preis ab 0.82 EUR bis 15.88 EUR
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BSZ146N10LS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R |
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BSZ146N10LS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R |
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Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R |
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BSZ146N10LS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R |
auf Bestellung 4965 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSZ146N10LS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 23µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V |
auf Bestellung 12463 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSZ146N10LS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MV POWER MOS |
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BSZ146N10LS5ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ146N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0124 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 4960 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSZ146N10LS5ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ146N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0124 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 4960 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSZ146N10LS5ATMA1 | Hersteller : Infineon |
N-Channel 100 V 40A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL |
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BSZ146N10LS5ATMA1 Produktcode: 208437
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Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R |
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Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R |
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Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R |
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