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BSZ146N10LS5ATMA1

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BSZ146N10LS5ATMA1 BSZ146N10LS5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonbsz146n10ls5datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
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BSZ146N10LS5ATMA1 BSZ146N10LS5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BSZ146N10LS5_DataSheet_v02_03_EN.pdf MOSFETs MV POWER MOS
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BSZ146N10LS5ATMA1 BSZ146N10LS5ATMA1 Hersteller : INFINEON 2882444.pdf Description: INFINEON - BSZ146N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0146 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0146ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3610 Stücke:
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BSZ146N10LS5ATMA1 BSZ146N10LS5ATMA1 Hersteller : INFINEON 2882444.pdf Description: INFINEON - BSZ146N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0146 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
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Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0146ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BSZ146N10LS5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BSZ146N10LS5_DataSheet_v02_03_EN-3360911.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 40 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1000 @ 50, Qg, нКл = 15, Rds = 16 мОм, Ugs(th) = 1,7 В, Р, Вт = 52, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Група товару: Транзистори Корпус: TSDSON-8 Од. вим: 450
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
verfügbar 19 Stücke:
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BSZ146N10LS5ATMA1 BSZ146N10LS5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonbsz146n10ls5datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
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BSZ146N10LS5ATMA1 BSZ146N10LS5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsz146n10ls5-datasheet-en.pdf?fileId=5546d4625696ed760156e6c1a0a327fc Description: MOSFET N-CH 100V 44A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
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BSZ146N10LS5ATMA1 BSZ146N10LS5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsz146n10ls5-datasheet-en.pdf?fileId=5546d4625696ed760156e6c1a0a327fc Description: MOSFET N-CH 100V 44A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
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