BSZ150N10LS3G Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 69+ | 2.49 EUR |
| 100+ | 2.37 EUR |
| 250+ | 2.25 EUR |
| 500+ | 2.14 EUR |
| 1000+ | 2.06 EUR |
| 2500+ | 1.98 EUR |
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Technische Details BSZ150N10LS3G Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 160A; 63W; automotive industry, Type of transistor: N-MOSFET, Drain-source voltage: 100V, Pulsed drain current: 160A, Power dissipation: 63W, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 15mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 26nC, Kind of channel: enhancement, Application: automotive industry.
Weitere Produktangebote BSZ150N10LS3G nach Preis ab 1.06 EUR bis 4.16 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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BSZ150N10LS3G | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSZ150N10LS3 G | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 100V 40A TSDSON-8 |
auf Bestellung 4286 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSZ150N10LS3G | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSZ150N10LS3 G | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 160A; 63W; automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 100V Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 63W Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Gate charge: 26nC Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
auf Bestellung 5005 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 35 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BSZ150N10LS3G |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 59+ | 2.92 EUR |
| 62+ | 2.76 EUR |
| 100+ | 2.62 EUR |
| 250+ | 2.48 EUR |
| 500+ | 2.37 EUR |
| 1000+ | 2.28 EUR |
| 2500+ | 2.18 EUR |
| 5000+ | 2.13 EUR |
| BSZ150N10LS3 G |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 100V 40A TSDSON-8
MOSFETs N-Ch 100V 40A TSDSON-8
auf Bestellung 4286 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.16 EUR |
| 10+ | 2.62 EUR |
| 100+ | 1.71 EUR |
| 500+ | 1.36 EUR |
| 1000+ | 1.21 EUR |
| 2500+ | 1.11 EUR |
| 5000+ | 1.06 EUR |
| BSZ150N10LS3G |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BSZ150N10LS3 G |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 160A; 63W; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 63W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 160A; 63W; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 63W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
auf Bestellung 5005 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)