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BSZ42DN25NS3GATMA1

BSZ42DN25NS3GATMA1 Infineon Technologies

BSZ42DN25NS3+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b15e5a93b1a8b
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 5A TSDSON-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Power Dissipation (Max): 33.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 425mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 10000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Technische Details BSZ42DN25NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSZ42DN25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 5 A, 0.371 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 33.8W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 33.8W, Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.371ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.371ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Weitere Produktangebote BSZ42DN25NS3GATMA1 nach Preis ab 0.93 EUR bis 4 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSZ42DN25NS3GATMA1 BSZ42DN25NS3GATMA1 Infineon Technologies BSZ42DN25NS3+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b15e5a93b1a8b Description: MOSFET N-CH 250V 5A TSDSON-8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Power Dissipation (Max): 33.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 425mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.23 EUR
15+1.48 EUR
100+1.17 EUR
500+1.09 EUR
1000+1 EUR
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BSZ42DN25NS3GATMA1 BSZ42DN25NS3GATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSZ42DN25NS3_G_DS_v02_04_EN.pdf MOSFETs N-Ch 250V 5A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 13057 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.89 EUR
10+1.77 EUR
100+1.25 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.96 EUR
5000+0.93 EUR
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BSZ42DN25NS3GATMA1 BSZ42DN25NS3GATMA1 INFINEON BSZ42DN25NS3+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b15e5a93b1a8b Description: INFINEON - BSZ42DN25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 5 A, 0.371 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 33.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33.8W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.371ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.371ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 9465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+4 EUR
79+2.98 EUR
105+2.05 EUR
500+1.71 EUR
1000+1.32 EUR
2500+1.29 EUR
5000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
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auf Bestellung 187 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
86+2.03 EUR
104+1.63 EUR
105+1.55 EUR
133+1.18 EUR
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BSZ42DN25NS3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ42DN25NS3.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 250, Id = 5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 430 @ 100, Qg, нКл = 5,5 @ 10 В, Rds = 425 мОм @ 2,5 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 13 мкА, Р, Вт = 33,8, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PG-TSDSON-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 5 Stücke:
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BSZ42DN25NS3GATMA1 BSZ42DN25NS3+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b15e5a93b1a8b
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 5A TSDSON-8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
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Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 100 V
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Vgs (Max): ±20V
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BSZ42DN25NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ42DN25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 5 A, 0.371 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
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hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 33.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33.8W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.371ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.371ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 5A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 187 Stücke:
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86+2.03 EUR
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N-канальний ПТ, Udss, В = 250, Id = 5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 430 @ 100, Qg, нКл = 5,5 @ 10 В, Rds = 425 мОм @ 2,5 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 13 мкА, Р, Вт = 33,8, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PG-TSDSON-8 Од. вим: шт
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