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BSZ520N15NS3GATMA1

BSZ520N15NS3+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304326623792012669f6bee2224b&fileId=db3a30432662379201266a0dd612226c
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BSZ520N15NS3GATMA1 BSZ520N15NS3GATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSZ520N15NS3_DS_v02_02_en.pdf MOSFETs N-Ch 150V 21A TSDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 20673 Stücke:
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10+2.39 EUR
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 75 V
auf Bestellung 4602 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.89 EUR
10+2.48 EUR
100+1.68 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.22 EUR
2000+1.13 EUR
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BSZ520N15NS3GATMA1 BSZ520N15NS3GATMA1 INFINEON INFNS15778-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ520N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.052 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 6080 Stücke:
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BSZ520N15NS3GATMA1 Infineon_BSZ520N15NS3_DS_v02_02_en.pdf
BSZ520N15NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 150V 21A TSDSON-8 OptiMOS 3
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1+3.77 EUR
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BSZ520N15NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 21A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 75 V
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BSZ520N15NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ520N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.052 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
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