BT131600 PHILIPS

Hersteller: PHILIPS

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Technische Details BT131600 PHILIPS

Category: Triacs, Description: Triac; 600V; 1A; TO92; Igt: 3/7mA; Ifsm: 12.5A; 4Q; sensitive gate, Type of thyristor: triac, Max. off-state voltage: 0.6kV, Max. load current: 1A, Case: TO92, Gate current: 3/7mA, Mounting: THT, Kind of package: bulk, Technology: 4Q, Max. forward impulse current: 12.5A, Features of semiconductor devices: sensitive gate.

Weitere Produktangebote BT131600

Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
BT131-600	NXP	4 QUADRANT TRIAC 1.0A 600V SOT-54=TO-92 Тиристори та симістори (TRIAC)	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BT131-600	WeEn	Triac, 600V, 1A, 3mA, TO92, Package: in bulk Тиристори та симістори (TRIAC)	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BT131-600	WeEn Semiconductors	Triacs BULKSL TRIAC	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BT131-600	WeEn Semiconductors	Category: Triacs Description: Triac; 600V; 1A; TO92; Igt: 3/7mA; Ifsm: 12.5A; 4Q; sensitive gate Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 1A Case: TO92 Gate current: 3/7mA Mounting: THT Kind of package: bulk Technology: 4Q Max. forward impulse current: 12.5A Features of semiconductor devices: sensitive gate	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BT131-600

Hersteller: NXP
4 QUADRANT TRIAC 1.0A 600V SOT-54=TO-92 Тиристори та симістори (TRIAC)

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BT131-600

Hersteller: WeEn
Triac, 600V, 1A, 3mA, TO92, Package: in bulk Тиристори та симістори (TRIAC)

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BT131-600

Hersteller: WeEn Semiconductors
Triacs BULKSL TRIAC

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BT131-600

Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; TO92; Igt: 3/7mA; Ifsm: 12.5A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: TO92
Gate current: 3/7mA
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Technology: 4Q
Max. forward impulse current: 12.5A
Features of semiconductor devices: sensitive gate

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