BT136-600
Produktcode: 98557
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Thyristoren, Dynistors, Triacs > Triacs
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| BT136-600 | NXP/Nexperia/We-En |
 Симістор вивідний, Udrm, В = 600, It(rms), А = 4, Igt, мА = 70, Тексп, °С = -40...+150,... Тиристори і симістори Корпус: TO-220AB Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| BT136-600 | WeEn Semiconductors | BT136-600/SIL3P/STANDARD MARKI |
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BT136-600 | WeEn Semiconductors |
Category: Triacs Description: Triac; 600V; 4A; TO220AB; Igt: 35/70mA; Ifsm: 25A; 4Q; sensitive gate Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 4A Case: TO220AB Gate current: 35/70mA Mounting: THT Kind of package: tube Technology: 4Q Max. forward impulse current: 25A Features of semiconductor devices: sensitive gate |
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Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BT136-600 |
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Hersteller: NXP/Nexperia/We-En
Симістор вивідний, Udrm, В = 600, It(rms), А = 4, Igt, мА = 70, Тексп, °С = -40...+150,... Тиристори і симістори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Симістор вивідний, Udrm, В = 600, It(rms), А = 4, Igt, мА = 70, Тексп, °С = -40...+150,... Тиристори і симістори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
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| BT136-600 |
Hersteller: WeEn Semiconductors
BT136-600/SIL3P/STANDARD MARKI
BT136-600/SIL3P/STANDARD MARKI
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| BT136-600 |
|
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 4A; TO220AB; Igt: 35/70mA; Ifsm: 25A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Case: TO220AB
Gate current: 35/70mA
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: 4Q
Max. forward impulse current: 25A
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 4A; TO220AB; Igt: 35/70mA; Ifsm: 25A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Case: TO220AB
Gate current: 35/70mA
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: 4Q
Max. forward impulse current: 25A
Features of semiconductor devices: sensitive gate
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