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BT137-800E

BT137-800E NXP

BT137-800E_PhilipsSemiconductors.pdf
Produktcode: 46530
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Hersteller: NXP
Gehäuse: TO-220
Umax, V: 800 V
I-auf, mA: 25 mA
I max, A: 8 А
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BT137-800E BT137-800E Hersteller : JUXING TR008bt137s-800e_JUX_JUXING_0001.pdf It=8A; Vdrm=800V; Igt=35mA; Equivalent: BT137S-800E,118; BT137-800E TO252 JUXING TR008bt137s-800e JUX
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BT137-800E BT137-800E Hersteller : WEIDA TR008bt137s-800e_WEI_WEIDA_0001.pdf It=8A; Vdrm=800V; Igt=10mA; Equivalent: BT137S-800E,118; BT137-800E TO252 WEIDA TR008bt137s-800e WEI
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BT137-800E BT137-800E Hersteller : WXDH TR008bt137-800e_DH_0001.pdf It=8A; Vdrm=800V; Igt=10mA; Equivalent: BT137-800E,127; BT137-800E DONGHAI TR008bt137-800e DH
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BT137-800E BT137-800E Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC BT137.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 8A; TO220AB; Igt: 10mA; Ufmax: 1.7V
Mounting: THT
Case: TO220AB
Gate current: 10mA
Type of thyristor: triac
Kind of package: tube
Max. load current: 8A
Max. forward voltage: 1.7V
Max. off-state voltage: 0.8kV
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BT137-800E BT137-800E Hersteller : LGE Triak; It=8A; Vdrm=800V; Igt=25mA Equivalent: BT137-800E,127 BT137-800E.127 BT137-800E LGE TR008bt137-800e c
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BT137-800E BT137-800E Hersteller : WEEN info-tr008bt137-800e.pdf Triac; It=8A; Vdrm=800V; Igt=25mA BT137-800E,127; BT137-800E.127; BT137-800E; BT137-800E,127 TR008bt137-800e
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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BT137-800E BT137-800E Hersteller : WEIDA TR008bt137s-800e_WEI_WEIDA_0001.pdf It=8A; Vdrm=800V; Igt=10mA; Equivalent: BT137-800E,127; BT137-800E WEIDA TR008bt137-800e WEI
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BT137-800E BT137-800E Hersteller : WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited bt137-800e.pdf TRIAC 800V 71A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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BT137-800E Hersteller : NXP 4 QUADRANT TRIAC 8.0A 800V SOT-78=TO-220AB Група товару: Тиристори та симістори (TRIAC) Од. вим: шт
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BT137-800E Hersteller : NXP/Nexperia/We-En Симистор (триак) (Vdrm=800V(max), It=8A(RMS), Vt=1.3V(typ), Igt... Група товару: Тиристори і симістори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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BT137-800E Hersteller : WeEn Semiconductor BT137-800E.pdf Симистор, Udrm, В = 800, It(rms), А = 8, Igt, мА = 25, Тексп, °С = -40...+125,... Група товару: Тиристори і симістори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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BT137-800E BT137-800E Hersteller : WeEn Semiconductors bta208-800e.pdf Triacs RAIL TRIAC
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18 kOhm 5W 5% (SQP50JB-18K)
Produktcode: 15110
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SQP_080911.pdf
18 kOhm 5W 5% (SQP50JB-18K)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - Zement-, 2 - 25W
Resistenz: 18 kOhm
Leistung: 5W
Präzision und TKW (Temperaturkoeffizient des Widerstandes): ±5%
U Betriebs.,V: 750V
Abmessungen, mm: 22,0x10,0x9,5; dAusfuhr.=0,8
Typ: Ausfuhrungs-, Zement-, Draht-
verfügbar: 372 St.
60 St. - stock Köln
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UF5408
Produktcode: 27170
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uf5408.pdf
UF5408
Hersteller: Vishay
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-27
Vrr, V: 1000
Iav, A: 3
Trr, ns: 75
verfügbar: 1328 St.
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1128 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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R16 500 kOhm linear mono (KLS4-WH148-1A-2-18T-B504-L15)
Produktcode: 32857
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ygigig468925rtdrtcdgvvfhge.jpg
R16 500 kOhm linear mono (KLS4-WH148-1A-2-18T-B504-L15)
Hersteller: CTR
Widerstand > Widerstande wechselnd (Potentiometer)
Nennwert: 500 kOhm
Beschreibung: Kohlenstoff- Potentiometer linear, mono
Typ: verdrehbar
Abmessungen: D=17 мм
Потужність: 0,125 W
Шток: 15 mm
Характеристика: Лінійний
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100+0.41 EUR
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1N5388B
Produktcode: 33821
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description 1n5345b-1n5388b.pdf
1N5388B
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-201
Ustab.,V: 200
Pmax: 5
Монтаж: THT
auf Bestellung 286 St.:
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BT137-800,127
Produktcode: 182131
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bt137-800-1520104.pdf
BT137-800,127
Hersteller: WeEN
Thyristoren, Dynistors, Triacs > Triacs
Gehäuse: TO-220AB
Umax, V: 800 V
I-auf, mA: 35 mA
I max, A: 8 A
auf Bestellung 2 St.:
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