Technische Details BT139-800 NXP
Category: Triacs, Description: Triac; 800V; 16A; Igt: 35/70mA; TO220AB; tube; Ifsm: 155A; 4Q, Typ of triac: standard, Max. off-state voltage: 0.8kV, Max. load current: 16A, Gate current: 35/70mA, Case: TO220AB, Mounting: THT, Kind of package: tube, Max. forward impulse current: 155A, Technology: 4Q, Features of semiconductor devices: sensitive gate.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
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BT139-800 Triac, 800V, 16A Produktcode: 68748
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Lieblingsprodukt
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NXP |
 Thyristoren, Dynistors, Triacs > TriacsGehäuse: TO-220AB Umax, V: 800 V I-auf, mA: 35 mA Imax, A: 16 A |
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| BT139-800 | NXP/Nexperia/We-En |
Симістор (тріак) вивідний, Udrm, В = 800, It(rms), А = 16, dIT/dt = 50 А/мкс, dVD/dt = 200 В/мкс, Igt, мА = 35, Ih, мА = 45, Тексп, °С = -40...+125,... Тиристори і симістори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||
| BT139-800 | WeEn Semiconductors |
BT139-800/SIL3P/STANDARD MARKI |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||
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BT139-800.127 | WeEn Semiconductors |
Category: Triacs Description: Triac; 800V; 16A; Igt: 35/70mA; TO220AB; tube; Ifsm: 155A; 4Q Typ of triac: standard Max. off-state voltage: 0.8kV Max. load current: 16A Gate current: 35/70mA Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward impulse current: 155A Technology: 4Q Features of semiconductor devices: sensitive gate |
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| BT139-800 Triac, 800V, 16A Produktcode: 68748
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Hersteller: NXP
Thyristoren, Dynistors, Triacs > Triacs
Gehäuse: TO-220AB
Umax, V: 800 V
I-auf, mA: 35 mA
Imax, A: 16 A
Thyristoren, Dynistors, Triacs > Triacs
Gehäuse: TO-220AB
Umax, V: 800 V
I-auf, mA: 35 mA
Imax, A: 16 A
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| 2+ | 1.05 EUR |
| BT139-800 |
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Hersteller: NXP/Nexperia/We-En
Симістор (тріак) вивідний, Udrm, В = 800, It(rms), А = 16, dIT/dt = 50 А/мкс, dVD/dt = 200 В/мкс, Igt, мА = 35, Ih, мА = 45, Тексп, °С = -40...+125,... Тиристори і симістори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Симістор (тріак) вивідний, Udrm, В = 800, It(rms), А = 16, dIT/dt = 50 А/мкс, dVD/dt = 200 В/мкс, Igt, мА = 35, Ih, мА = 45, Тексп, °С = -40...+125,... Тиристори і симістори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
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| BT139-800 |
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Hersteller: WeEn Semiconductors
BT139-800/SIL3P/STANDARD MARKI
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| BT139-800.127 |
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Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 16A; Igt: 35/70mA; TO220AB; tube; Ifsm: 155A; 4Q
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 16A
Gate current: 35/70mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 155A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 16A; Igt: 35/70mA; TO220AB; tube; Ifsm: 155A; 4Q
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 16A
Gate current: 35/70mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 155A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
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