BT169G

BT169G NXP


BT169 series.pdf
Produktcode: 1080
Hersteller: NXP
Gehäuse: TO-92
U,zu,V: 600V
I-auf,mA: 0,2mA
Imax,A: 0,8A
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BT169G,112 BT169G,112 Hersteller : WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited 543bt169g.pdf Thyristor SCR 600V 9A 3-Pin SPT Bulk
auf Bestellung 5000 Stücke:
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BT169G,112 BT169G,112 Hersteller : WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited 543bt169g.pdf Thyristor SCR 600V 9A 3-Pin SPT Bulk
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BT169G,112 BT169G,112 Hersteller : WeEn Semiconductors bt169g.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 600V; Ifmax: 0.8A; 0.5A; Igt: 200uA; TO92; THT; bulk; 2us
Mounting: THT
Case: TO92
Kind of package: bulk
Gate current: 0.2mA
Load current: 0.5A
Max. load current: 0.8A
Max. forward impulse current: 8A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Type of thyristor: thyristor
Turn-on time: 2µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2652 Stücke:
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Anzahl Preis
167+0.43 EUR
262+0.27 EUR
362+0.2 EUR
414+0.17 EUR
557+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
2000+0.1 EUR
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BT169G,112 BT169G,112 Hersteller : WeEn Semiconductors bt169g.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 600V; Ifmax: 0.8A; 0.5A; Igt: 200uA; TO92; THT; bulk; 2us
Mounting: THT
Case: TO92
Kind of package: bulk
Gate current: 0.2mA
Load current: 0.5A
Max. load current: 0.8A
Max. forward impulse current: 8A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Type of thyristor: thyristor
Turn-on time: 2µs
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BT169G,112 BT169G,112 Hersteller : WeEn Semiconductors bt169g.pdf SCRs .8A 600V
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5000+0.12 EUR
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BT169G Hersteller : WeEn Semiconductors BT169G/TO-92/STANDARD MARKING
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BT169G,112 BT169G,112 Hersteller : WeEn Semiconductors bt169g.pdf Description: SCR 600V 800MA TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 8A, 9A
Current - On State (It (AV)) (Max): 500 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 100 µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 600 V
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BT169G,112 Hersteller : NXP USA Inc. bt169g.pdf Description: THYRISTOR .8A 600V TO-92
Packaging: Bulk
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BC327-40
Hersteller: LGE
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92
fT: 100 MHz
U, V: 45 V
U, V: 50 V
I, А: 0,8 A
h21,max: 630
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100 Ohm 5% 2W (MOR200SJTB-100R-Hitano)
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100 Ohm 5% 2W (MOR200SJTB-100R-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 2W
Resistenz: 100 Ohm
Präzision und TKW (Temperaturkoeffizient des Widerstandes): ±5%
P Nenn.,W: 2W
U Betriebs.,V: 500V
Abmessungen: 11x4,0mm, DAusfuhr.=0,76mm
Typ: Metalloxid miniatur
-55...+125°C
№ 7: 8533210000
auf Bestellung 409 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 2000 St.:
2000 St. - erwartet 30.04.2026
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10+0.03 EUR
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UC3854N
Produktcode: 17824
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datasheethv6y5vv6.pdf
UC3854N
Hersteller: Unitrode
IC > IC Netzteile
Gehäuse: PDIP-16
Eigenschaften: High Power Factor Preregulator
Spannung, eing., V: 35 V
I-ausg., A: 0,5 A
Fosc, kHz: 102 kHz
Temperaturbereich: 0…+70°C
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47uF 50V EHR 6,3x11mm (EHR470M50B-Hitano)
Produktcode: 18651
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EHR_081225.pdf
47uF 50V EHR 6,3x11mm (EHR470M50B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 47uF
Nennspannung: 50V
Reihe: EHR
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 6,3x11mm
Lebensdauer: 6,3х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 4746 St.
975 St. - stock Köln
3771 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.06 EUR
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100+0.024 EUR
1000+0.022 EUR
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1N4744A
Produktcode: 25622
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1N4728A-1N4764A.pdf
1N4744A
Hersteller: YJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-41
Ustab.,V: 15
Istab.direkt,A: 17mA
Pmax: 1
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 0.055 до 0.09 %/°C
verfügbar: 80 St.
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