BTA201-800ER,112 NXP USA Inc.
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Technische Details BTA201-800ER,112 NXP USA Inc.
Category: Triacs, Description: Triac; 800V; 1A; TO92; Igt: 10mA; Ifsm: 12.5A; 3Q,Hi-Com, Type of thyristor: triac, Max. off-state voltage: 0.8kV, Max. load current: 1A, Case: TO92, Gate current: 10mA, Max. forward impulse current: 12.5A, Technology: 3Q; Hi-Com, Features of semiconductor devices: sensitive gate, Mounting: THT, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote BTA201-800ER,112
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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BTA201-800ER,112 | Hersteller : Ween |
 TRIAC Diode 800V 1A(RMS) 13.7A 3-Pin SPT Bulk |
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BTA201-800ER,112 | Hersteller : WeEn Semiconductors |
Category: Triacs Description: Triac; 800V; 1A; TO92; Igt: 10mA; Ifsm: 12.5A; 3Q,Hi-Com Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.8kV Max. load current: 1A Case: TO92 Gate current: 10mA Max. forward impulse current: 12.5A Technology: 3Q; Hi-Com Features of semiconductor devices: sensitive gate Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BTA201-800ER,112 | Hersteller : WeEn Semiconductors |
Triacs 3 QUADRANT TRIAC |
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BTA201-800ER,112 | Hersteller : WeEn Semiconductors |
Category: Triacs Description: Triac; 800V; 1A; TO92; Igt: 10mA; Ifsm: 12.5A; 3Q,Hi-Com Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.8kV Max. load current: 1A Case: TO92 Gate current: 10mA Max. forward impulse current: 12.5A Technology: 3Q; Hi-Com Features of semiconductor devices: sensitive gate Mounting: THT |
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