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BTA208-600B,127

BTA208-600B,127 NXP Semiconductors

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Hersteller: NXP Semiconductors
TRIAC 600V 8A(RMS) 71A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
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Technische Details BTA208-600B,127 NXP Semiconductors

Description: TRIAC 600V 8A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Triac Type: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: 125°C (TJ), Current - Hold (Ih) (Max): 60 mA, Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 50 mA, Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 65A, 71A, Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5 V, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Current - On State (It (RMS)) (Max): 8 A, Voltage - Off State: 600 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BTA208-600B,127 BTA208-600B,127 NXP Semiconductors bta208-600b.pdf TRIAC 600V 8A(RMS) 71A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
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BTA208-600B,127 BTA208-600B,127 NXP Semiconductors bta208-600b.pdf TRIAC 600V 8A(RMS) 71A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
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BTA208-600B,127 BTA208-600B,127 NXP Semiconductors bta208-600b.pdf TRIAC 600V 8A(RMS) 71A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
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BTA208-600B,127 BTA208-600B,127 NXP Semiconductors bta208-600b.pdf TRIAC 600V 8A(RMS) 71A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
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BTA208-600B,127 BTA208-600B,127 WeEn Semiconductors BTA208-600B.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 65A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
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77+1.11 EUR
101+0.84 EUR
113+0.75 EUR
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BTA208-600B,127 NXP/Nexperia/We-En BTA208-600B_NXP.pdf Симістор вивідний, Udrm, В = 600, It(rms), А = 8, dIT/dt = 100 A/мкс, dVD/dt = 4 000 В/мкс, Igt, мА = 50, Ih, мА = 60, Тексп, °С = -40...+125,... Тиристори і симістори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 8A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 65A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 65A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
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Симістор вивідний, Udrm, В = 600, It(rms), А = 8, dIT/dt = 100 A/мкс, dVD/dt = 4 000 В/мкс, Igt, мА = 50, Ih, мА = 60, Тексп, °С = -40...+125,... Тиристори і симістори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
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