BTA312B-600D,118 WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited
Hersteller: WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedTRIAC 600V 12A(RMS) 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details BTA312B-600D,118 WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA312B-600D,118 - Triac, 600 V, 12 A, TO-263 (D2PAK), 1 V, 100 A, 10 mA, tariffCode: 85413000, Bauform - Triac: TO-263 (D2PAK), rohsCompliant: Y-EX, Haltestrom, max.: 10mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 100A, Spitzen-Durchlassspannung: 1.6V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, RMS-Durchlassstrom: 12A, euEccn: NLR, Zündspannung, max.: 1V, Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Thyristormontage: Oberflächenmontage, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote BTA312B-600D,118 nach Preis ab 0.75 EUR bis 2.25 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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BTA312B-600D,118 | Hersteller : WeEn Semiconductors |
Triacs Thyristor TRIAC 600V 105A 3-Pin (2+Tab) |
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BTA312B-600D,118 | Hersteller : WEEN SEMICONDUCTORS |
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA312B-600D,118 - Triac, 600 V, 12 A, TO-263 (D2PAK), 1 V, 100 A, 10 mA tariffCode: 85413000 Bauform - Triac: TO-263 (D2PAK) rohsCompliant: Y-EX Haltestrom, max.: 10mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 100A Spitzen-Durchlassspannung: 1.6V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 RMS-Durchlassstrom: 12A euEccn: NLR Zündspannung, max.: 1V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Thyristormontage: Oberflächenmontage Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 5022 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BTA312B-600D,118 | Hersteller : Ween |
TRIAC Diode 600V 12A(RMS) 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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BTA312B-600D,118 | Hersteller : NXP Semiconductors |
TRIAC 600V 12A(RMS) 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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BTA312B-600D,118 | Hersteller : Nexperia |
TRIAC 600V 12A(RMS) 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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BTA312B-600D,118 | Hersteller : WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited |
TRIAC 600V 12A(RMS) 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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BTA312B-600D,118 | Hersteller : WeEn Semiconductors |
Category: Triacs Description: Triac; 600V; 12A; D2PAK; Igt: 5mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 12A Case: D2PAK Gate current: 5mA Max. forward impulse current: 100A Technology: 3Q; Hi-Com Features of semiconductor devices: sensitive gate Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BTA312B-600D,118 | Hersteller : WeEn Semiconductors |
Description: TRIAC SENS GATE 600V 12A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Triac Type: Logic - Sensitive Gate Configuration: Single Operating Temperature: 125°C (TJ) Current - Hold (Ih) (Max): 10 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 5 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 95A, 105A Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5 V Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Current - On State (It (RMS)) (Max): 12 A Voltage - Off State: 600 V |
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BTA312B-600D,118 | Hersteller : WeEn Semiconductors |
Description: TRIAC SENS GATE 600V 12A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Triac Type: Logic - Sensitive Gate Configuration: Single Operating Temperature: 125°C (TJ) Current - Hold (Ih) (Max): 10 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 5 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 95A, 105A Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5 V Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Current - On State (It (RMS)) (Max): 12 A Voltage - Off State: 600 V |
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BTA312B-600D,118 | Hersteller : WeEn Semiconductors |
Category: Triacs Description: Triac; 600V; 12A; D2PAK; Igt: 5mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 12A Case: D2PAK Gate current: 5mA Max. forward impulse current: 100A Technology: 3Q; Hi-Com Features of semiconductor devices: sensitive gate Mounting: SMD Kind of package: reel; tape |
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