BTA316Y-800CTQ WeEn Semiconductors
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Technische Details BTA316Y-800CTQ WeEn Semiconductors
Category: Triacs, Description: Triac; 800V; 16A; Igt: 35mA; TO220AB; tube; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com, Typ of triac: standard, Max. off-state voltage: 0.8kV, Max. load current: 16A, Gate current: 35mA, Case: TO220AB, Mounting: THT, Kind of package: tube, Max. forward impulse current: 140A, Technology: 3Q; Hi-Com, Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate.
Weitere Produktangebote BTA316Y-800CTQ nach Preis ab 1.27 EUR bis 3.75 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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BTA316Y-800CTQ | WeEn Semiconductors |
 Description: TRIAC 800V 16A IITO220E |
auf Bestellung 5836 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BTA316Y-800CTQ | WeEn Semiconductors |
Category: Triacs Description: Triac; 800V; 16A; Igt: 35mA; TO220AB; tube; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com Typ of triac: standard Max. off-state voltage: 0.8kV Max. load current: 16A Gate current: 35mA Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward impulse current: 140A Technology: 3Q; Hi-Com Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate |
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| BTA316Y-800CTQ |
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Hersteller: WeEn Semiconductors
Description: TRIAC 800V 16A IITO220E
Description: TRIAC 800V 16A IITO220E
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|---|---|
| 6+ | 3.75 EUR |
| 10+ | 2.39 EUR |
| 100+ | 1.61 EUR |
| 500+ | 1.27 EUR |
| BTA316Y-800CTQ |
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Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 16A; Igt: 35mA; TO220AB; tube; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 16A
Gate current: 35mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 140A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 16A; Igt: 35mA; TO220AB; tube; Ifsm: 140A; 3Q,Hi-Com
Typ of triac: standard
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 16A
Gate current: 35mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 140A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
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