BTS240AHKSA1 Infineon Technologies


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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 50V 58A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-218 Tube
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Technische Details BTS240AHKSA1 Infineon Technologies

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-218-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 47A, 10V, Power Dissipation (Max): 170W, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA, Supplier Device Package: PG-TO218-3-1, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BTS240AHKSA1 Infineon Technologies INFNS15457-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO218-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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BTS240AHKSA1 ROCHESTER ELECTRONICS INFNS15457-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BTS240AHKSA1 - BTS240 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
tariffCode: 85412100
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 12772 Stücke:
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Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO218-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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24+25.38 EUR
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BTS240AHKSA1 INFNS15457-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BTS240AHKSA1 - BTS240 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
tariffCode: 85412100
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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