Weitere Produktangebote BTS247ZE3062AATMA2 nach Preis ab 4.06 EUR bis 4.84 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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BTS247ZE3062AATMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 55V 33A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BTS247ZE3062AATMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 33A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BTS247ZE3062AATMA2 | Hersteller : Infineon |
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auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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BTS247ZE3062AATMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 33A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BTS247ZE3062AATMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 33A TO263-5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 12A, 10V FET Feature: Temperature Sensing Diode Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO263-5-2 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BTS247ZE3062AATMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 55V 19A D2PAK-4 |
Produkt ist nicht verfügbar |